济南SANTAK山特MT500后备式UPS不间断电源小型办公家用电源防断电可延时详细介绍

济南SANTAK山特MT500后备式UPS不间断电源小型办公家用电源防断电可延时

MT系列是智能上网型UPS，可提供各种通讯连接方式的电源管理方案。采用***的CPU集成控制技术，并拥有超宽电压输入范围和独特的立式、卧式、机架 式三种安装方式；还特别配置稳压输出电源插座、浪涌保护插座和智能插卡，是中小企业、***及教育等行业的服务器、网络设备及工控产品的理想保护电源。

针对***网络设备、IT设备

Multipower(MT)系列UPS是针对***网络设备、IT设备而设计的上网型UPS。输入电压范围超宽，并能提供多种安装、监控方式。

立式、卧式、机架式三种安装方式

独特的外形设计。MT可根据用户的应用环境随需而变，从而***保护了客户的投资。

单独配置稳压输出电源插座

独立的稳压输出插座可外接打印机或扫描仪等电脑外设，避免了复杂的外部连线，同时还可对设备进行浪涌保护。

特别配置浪涌保护插座

配备RJ45/RJ11网络保护接口，为连网设备提供浪涌保护。

智能插卡

MT1000配有智能插槽，除标准串口电源智能管理模式外，通过选购USB卡、Webpower卡、EMD环境监测器等监控配件，可实现多种模式的UPS远程监控管理。

注意：智能插槽分为长卡与短卡(mini卡)，MT系列产品需配短卡使用。

长效型、延时型供电设计(1KVA)

为了满足不同用户对UPS后备时间需求，MT系列分为三种型号：标准型、延时型和长效型。“标准型UPS”可满足普通用户对不间断电源的需求。“延时型UPS”配有山特原装电池箱，可提供***的后备时间，适合电力环境恶劣的地区使用。“长效型UPS”可外接电池箱，特别适合长时间供电不足的地区使用。

超宽输入范围

提供***模式，在该模式下，可以使电压工作范围拓宽至148-295VAC，特别适用于电力环境恶劣的地区。更可搭配发电机使用。

山特MT1000S是一款高效、稳定的UPS电源，它在保障电力持续供应和保护设备免受电源故障方面表现出色。以下是安装山特MT1000S的注意事项，以确保其稳定运行和安全使用：

选择合适的安装位置：选择一个干燥、通风良好、无阳光直射的地方安装山特MT1000S。避免将其安装在高温、高湿、多尘或具有腐蚀性气体的环境中。此外，确保安装位置的地面平整，并具有足够的承载能力，以支持山特MT1000S的重量。

安装电池组：山特MT1000S需要使用电池组来存储电能。确保电池组正确安装，并将正极和负极连接线正确连接到山特MT1000S的主机上。此外，要定期检查电池组的液位和电压，以确保电池组的正常运行。

连接电源线：根据山特MT1000S的说明书，正确连接输入和输出电源线。确保输入电源线与山特MT1000S的规格相匹配，并使用适当的工具进行连接。此外，为了避免电源故障，建议使用UPS专用电源插座或电源分配器。

安装网络接口：如果需要远程监控和管理山特MT1000S，需要安装网络接口。按照说明书中的说明，将网络接口与山特MT1000S的主机连接，并设置正确的IP地址和端口号。确保网络接口的物理安全性，并使用防火墙等措施保护其免受网络攻击。

定期维护：为了保持山特MT1000S的正常运行和延长其使用寿命，需要定期对其进行维护。例如，定期检查电池组的液位和电压，清洁主机内部和外部的灰尘和杂物等。此外，要定期进行UPS放电试验以检查电池组的性能。

总之，要确保山特MT1000S的正常运行和安全使用，需要仔细阅读并遵循说明书中的安装说明。

常用电力电子器件

有晶闸管串并联的场合，触发脉冲的前沿越陡越有利于晶闸管的同时触发导通。

(1)对触发电路的要求

为了***晶/闸管电路能正常、可靠地工作，触发电路必须满足以下要求: 1触发脉冲应有足够的功率，触发脉冲的电压和电流应大于晶闸管产品目录提供的数据，并留有一定的裕量。

电流极限

晶闸管的门极伏安特性曲线如图2-15所示。由

于同一型号晶闸管的门极伏安特性分散性比较大，所以规定晶闸管的门极阻值在某高阻(曲线OD) 和低阻(曲线OG)之间才算是合格的产品。晶闸管器件出厂时，所标注的门极触发电流Ic、门极触发电压Uc是指该型号所有合格器件都能被触发导通的最小门极电流、电压值，所以在接近坐标原点处IG和UG为界划出OABCO区域，在此区域内为不可靠触发区。在器件门极极限电流IGFM、门极极限电压UGFM和门极极限功率曲线的包围下，面积ABCDEFG (图中阴影部分)为可靠触发区，所有合格晶闸管器件的触发电压与触发电流都应在这个

区域内，在使用时，触发电路提供的门极触发电压与触发电流都应处于这个区域内。

再者，温度对晶闸管门极的影响也比较大，即使是同一器件，温度不同时，器件的触发电流与电压值也不同。一般可以这样估算，在100℃高温时，触发电流、电压值比室温时低2~3倍，而在一40℃低温时，触发电流、电压值比室温时高2~3倍。所以为了使晶闸管可靠地触发，触发电路送出的触发电流、电压值都必须大于晶闸管器件门极规定的触发电流Ic、触发电压UG值，并且要留有足够的余量。如触发信号为脉冲时，在触发功率不超过规定值的情况下，触发电压、电流的幅值在短时间内可大大超过额定值。

图2-15晶闸管的门极伏安特性曲线

触发脉冲应有一定的宽度且脉冲前沿应尽可能陡。由于晶闸管触发有一个过程，也

就是晶闸管的导通需要一定的时间，只有当晶闸管的阳极电流即主回路电流上升到晶闸管的擎住电流I1以上时，晶闸管才能导通，所以触发信号应有足够的宽度才能***被触发的晶闸管可靠导通，对于感性负载，脉冲的宽度要宽些，一般为0.5~lms,相当于50Hz、18o 电角度。为了可靠、快速地触发大功率晶闸管，常常在触发脉冲的前沿叠加上一个强触发脉冲，其波形如图2-16所示。图中t，~t,为脉冲前沿的上升时间(<1us),t2~t3为强脉冲的宽度；IM为强脉冲的幅值(3Ic~5Ic);t1~t为脉冲的宽度；I为脉冲平均幅值(1.5Ic~2Ic)。

图2-16理想晶闸管触发脉冲电流波形

图2-17触发移相结构图触发脉冲的相位应能在规定范围内移动。例如单相全控桥整流电路阻性负载时，要

UPS电源技术及应用

求触发脉冲的移相范围是0o~180o,感性负载时，要求移相范围是0o~90o;三相半波可控整流电路阻性负载时，要求移相范围是0o~150o,感性负载时，要求移相范围是0o~90o, 

4触发脉冲与晶闸管主电路电源必须同步。为了使晶闸管在每个周期都能够以相同的控制角被触发导通，触发脉冲必须与电源同步，两者的频率应相同，而且要有固定的相位关系，以使每一周期都能在同样的相位上触发。其触发移相结构图如图2-17所示，触发电路同时受控制电压u与同步环节电压我，的控制。

触发电路的种类

晶闸管的门极触发电路，根据控制晶闸管的通断状况不同，可分为移相触发与过零触发两类。移相触发就是改变晶闸管每周期导通的起始点即触发延迟角a 的大小，以达到改变输出电压、功率的目的；而过零触发是晶闸管在设定的时间间隔内，通过改变导通的周波数来实现电压或功率的控制。

如果按触发电路组成的元器件来分，又可分为分立元器件构成的触发电路、集成电路构成的触发电路、专用集成触发电路以及微机触发电路等几种。

触发信号又可分为模拟式和数字式两种。阻容移相桥、单结晶体管触发电路以及利用锯齿波移相电路或利用正弦波移相电路均为模拟式触发电路；而数字逻辑电路乃至微处理器控制的移相触发电路则属于数字式触发电路。

由单结晶体管组成的触发电路，具有简单、可靠、触发脉冲前沿陡、抗干扰能力强以及温度补偿性能好等优点，在单相与要求不高的三相晶闸管装置中得到广泛应用，但单结晶体管触发电路只能产生窄脉冲。对于电感较大的负载，由于晶闸管在触发导通时阳极电流上升较慢，在阳极电流还未到达管子擎住电流IL时，触发脉冲已经消失，使晶闸管在触发期间导通后又重新关断。所以单结晶体管如不采用脉冲扩宽措施，是不宜触发感性负载的。为了克服单结晶体管触发电路的缺点，在要求较高、功率较大的晶闸管装置中，大多采用晶体管组成的触发电路，目前都用以集成电路形式出现的集成触发器。本节重点分析单结晶体管触发电路、锯齿波同步触发电路以及集成触发电路。

单结晶体管触发电路

1单结晶体管的结构及特性。单结晶体管有三个电极，两个基极(***基极b1、***基极b2)和一个发射极e，因此也称为双基极二极管，其结构、等效电路、电气符号及其引御如图2-18所示。

图2-18单结晶体管的结构、等效电路、电气符号及其引脚图

在一块高电阻率的N型硅半导体基片上，引出两个欧姆接触极:***基极b，、***基极b2,这两个基极之间的电阻Rb就是基片的电阻，其值约为2~12k0.在两基片间，靠近b2处设法掺入P型杂质--铝，引出电极称为发射极e，e对b，或b，就是一个PN结，具

第2章常用电力电子器件

有二极管的导电特性，又称双基极二极管。其等效电路如图2-18(b)所示，图中Rb1、Rb2 分别为发射极e与***基极b、***基极b2之间的电阻。

单结晶体管的实验电路和伏安特性如图2-19所示。

图2-19 单结晶体管实验电路与伏安特性

a.当S1闭合、S2断开时，I bb=0,二极管VD与Rb1组成串联电路，U.与I。的关系曲线与二极管正向特性曲线接近。

b.当S1断开、S2闭合时，外加基极电压U_0经过Rb1、R b2分压，则A点对b1之间的电压UA为

Rb1 

UA= U_bb=U bb 

Rb1十R52 

式中，刀-Rb1/(Rb1+R b2),称为单结晶体管的分压比，7是由单结晶体管的内部结构

决定，一般为0.3~0.9。

c S1 闭合、S2也闭合，即单结晶体管加上一定的基极电压Ub。

U。从零开始逐渐增大，当Ue

当Ue=UA时，二极管VD处于零偏，电流Ie=0,如图2-19中的b点，管子仍处于截

止状态。当U。再增大，UA0。

当U。继续增大，达到UP值(图中P点)时，Up=UA+UD,二极管充分导通，I。***增大，当I.继续增大时，发射极P区的空穴不断地注入N区，与基片中的电子不断汇合，使N区Rb1段中的载流子大量增加，使Rb阻值迅速减小，U 降低，I。进一步增大，而1e的增大又进一步使Rb1减小，形成强烈的正反馈。随着Ie的增大，U 降低，又由于Ue=UA+Up,所以U.不断减小，从而得出单结晶体管的发射极e与***基极b，之间的动态电阻△R eb1=AU。/AI。为负值，这就是单结晶体管***的负阻特性。如图2-19所示，