DELTA台达不间断电源GES-N10K机房稳压外接电池10KVA/10KW详细介绍

DELTA台达不间断电源GES-N10K机房稳压外接电池10KVA/10KW，它为关键性应用提供了稳定的、不间断的电力供应，确保了各种电子设备和数据系统的正常运行。以下是台达N-10K不间断电源的一些优点和使用注意事项。

优点

1. 可靠稳定的电力供应：台达N-10K不间断电源具有高可靠性和稳定性，能够为关键性应用提供可靠的电力保障，避免了因电力波动或中断导致的设备故障和数据丢失。

2. 高效率能源管理：台达N-10K不间断电源采用了***的节能技术和高效率的电源转换器，具有低能耗、高效率的特点，有效降低了能源消耗，减少了电力成本。

3. 多重保护和安全措施：台达N-10K不间断电源具有多重保护和安全措施，包括过载保护、过压保护、欠压保护、过温保护等，能够有效地保护电源和所连接的设备免受意外故障和损坏。

4. 适应性强：台达N-10K不间断电源具有广泛的适用性，适用于各种不同型号和规格的服务器、路由器、交换机等电子设备，满足不同行业和不同应用场景的需求。

5. 可维护性和可扩展性：台达N-10K不间断电源具有可维护性和可扩展性，方便进行定期维护和升级，能够满足用户不断变化的电力需求。

   DELTA台达不间断电源GES-N10K机房稳压外接电池10KVA/10KW
   

开通时间c分为延时时间t和上升时间:，两部分，ton与功率MOSFET的开启电压UGs(th)和输入电容Cis有关，并受信号源的上升时间和内阻的影响。关断时间to可分为储存时间:、和下降时间t两部分，to 则由功率MOSFET漏源间电容CDs和负载电阻决定。通常功率MOSFET的开关时间为10~100ns,而双极型器件的开关时间则以微秒计，甚至达到几十微秒。

2.3.3 主要参数

流在负田

(1)通态电阻Ron 

通态电阻Ro是与输出特性密切相关的参数，是指在确定的栅源电压Ucs下，功率MOSFET由可调电阻区进入饱和区时的集射极间的直流电阻。它是影响输出功率的重要参数。在开关电路中它决定了输出电压幅度和自身损耗大小。

在相同的条件下，耐压等级愈高的器件，其通态电阻愈大，且器件的通态压降愈大。这也是功率MOSFET电压难以提高的原因之一。

由于功率MOSFET的通态电阻具有正电阻温度系数，当电流增大时，附加发热使Ran 

增大，对电流的增加有抑制作用。

(2)开启电压Ucs(th) 

开启电压UcS(t为转移特性曲线与横坐标交点处的电压值，又称阈值电压。在实际应用中，通常将漏栅短接条件下ID等于1mA时的栅极电压定义为开启电压Ucs(tb,它随结温升高而下降，具有负的温度系数。

(3)跨导gm 

跨导定义为g-△Ip/AUcs,即为转移特性的斜率，单位为西门子(S).8表示功率MOSFET的放大能力，故跨导gm的作用与GTR 中电流增益相似。

(4)漏源击穿电压BUps 

漏源击穿电压BUDs决定了功率MOSFET的工作电压，它是为了避免器件进入雪崩区而设的极限参数。BUps主要取决于漏区外延层的电阻率、厚度及其均匀性。由于电阻

UPS电源技术及应用

率随温度不同而变化，因此当结温升高，BUps随之增大，耐压提高。这与双极型器件长GTR和晶闸管等随结温升高耐压降低的特性恰好相反。

(5)栅源击穿电压BUes 

栅源击穿电压BUcs是为了防止绝缘栅层因栅漏电压过高而发生介电击穿而设定的数。一般栅源电压的极限值为士20V。

(6)功耗PpM 

依次做下述测量，1将万用表置然后将红表笔接漏

PDM=(T3M-Tc)/RrC 

功率MOSFET功耗为

式中，TM为额定结温(TjM=150℃);Tc为管壳温度；RTjc为结到壳间的稳态热阻由上式可见，器件的耗散功率与管壳温度有关。在TjM和 RTjC为定值的条件下PDM将随Tc的增高而下降，因此，器件在使用中散热条件是十分重要的。

(7)漏极连续电流Ip和漏极峰值电流I DM 

漏极连续电流ID和漏极峰值电流I pM表征功率MOSFET的电流容量，它们主要受线温的限制，功率MOSFET允许的漏极连续电流Ip是

ID=√PDM/Ron=√(TM一Tc)/RonRTiC 

实际上功率MOSFET的漏极连续电流Ip通常没有直接的用处，仅是作为一个基准这是因为许多实际应用的MOSFET是工作在开关状态中，因此在非直流或脉冲工作情况，其漏极电流由额定峰值电流I DM定义。只要不超过额定结温，峰值电流I DM可以超过续电流。在25℃时，大多数功率MOSFET的IDM大约是连续电流额定值的2~4倍。

此外值得注意的是:随着结温T升高，实际允许的ID和I DM均会下降。如型号为

IRF330的功率MOSFET，当Tc=25℃时，Ip为5.5A,当Tc=100℃时，ID为3.3A 所以在选择器件时必须根据实际工作情况考虑裕量，防止器件在温度升高时，漏极电流降低而损坏。

图2- 先用导接近无穷大，

紧接上开，相当于给明跨导值越高较小。具体测紧接上一下，给栅极短接后肤

2.3.4 检测方法

G 

(1)判别管脚

1判别栅极G。将万用表置于RX1k挡，分别测量3个管脚间的电阻，如果测得某管脚与其余两管脚间的电阻值均为无穷大，且对换表笔测量时阻值仍为无穷大，则证明此脚是栅极G。因为从结构上看，栅极G与其余两脚是绝缘的。但要注意，此种测量法仅对管内无保护二极管的VMOS管适用。

判定源极S和漏极D。由VMOS管结构可知，在源-漏极之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异的特点，可准确识别源极S和漏极D。将万用表置于RX1k 挡，先用一表笔将被测VMOS管3个电极短接一下，然后用交换表笔的方法测两次电阻，如果管子是好的，必然会测得阻值为一大一小。其中阻值较大的一次测量中，黑表笔所接的为漏极D，红表笔所接的为源极S，而阻值较小的一次测量中，红表笔所接的为漏极D，黑表笔所接的为源极S，这种规律还证明，被测管为N沟道管。如果被测管子为P沟道管，则所测阻值的大小规律正好相反。

图2-38 

上述测表笔的位置2.3.5驱

(2)好坏的判别

用万用表R×1k挡去测量场效应管任意两引脚之间的正、反向电阳值。如果出现两次

及两次以上电阻值较小(几乎为0),则该场效应管损坏；如果仅出现一次电阳值较小( 般为数百欧)，其余各次测量电阻值均为无穷大，还需作进一步判断。以 N沟道管为例，司

功率类:直接

1T IG(on)和吸开集电极动器驱动件如的参依次做下述测量，以判定管子是否良好。

1将万用表置于R×1k挡。先将被测vMos管的栅极G与源极S用镊子短接一下，然后将红表笔接漏极D，黑表笔接源极S，所测阻值应为数千欧，如图2-36所示。

图2-36测VMOS管RsD 

图2-37 短接G与S，测VMOS管Rps 

维B连

先用导线短接G与S，将万用表置于RX10k挡，红表笔接S，黑表笔接D，阻值应接近无穷大，否则说明VMOS管内部PN结的反向特性较差，如图2-37所示。

3紧接上述测量，将G与S间短路线去掉，表笔位置不动，将D与G短接一下再脱开，相当于给栅极注入了电荷，此时阻值应大幅度减小并且稳定在某一阻值。此阻值越小说明跨导值越高，管子的性能越好。如果万用表指针向右摆幅很小，说明VMOS管的跨导值较小。具体测试操作如图2-38所示。

为4低

紧接上述操作，表笔不动，电阻值维持在某一数值，用镊子等导电物将G与S短接

-下，给栅极放电，万用表指针应立即向左转至无穷大。具体操作如图2-39所示。

短接后脱开

图2-38D与G短接，测VMOS管Rps 

图2-39G与S短接时的测试情况

恨

上述测量方法是针对N沟道VMOS场效应管而言，若测量P沟道管，则应将万用表两表笔的位置调换。

2.3.5驱动电路

第

功率MOSFET栅极驱动电路的形式各种各样，按驱动电路与栅极的连接方式可分为三类:直接驱动、隔离驱动和集成驱动。

(1)直接驱动电路

1TTL驱动电路。图2-40(a)是最简单的TTL驱动电路，它应能输出开通驱动电流IGton)和吸取关断电流Ic(off。图中TTL电路可以是驱动器、缓冲器或其他逻辑电路。这种开集电极的驱动器末级是单管输出，受其灌电流的限制外接电阻R都在数百欧。用这种驱动器驱动功率MOSFET开通时，因R阻值较大，因此器件的开通时间较长。

UPS控制技术

现代UPS是按照一定的拓扑结构，利用电力电子器件构成相应的功率变换电路，对电能进行相应的处理，从而达到将交流或直流输入电能变换成为标准的交流电供给负载。在这个过程中，电力电子器件按照特定的规律开通和关断，从而实现对电能的变换或处理。而器件开通和关断的特定规律抽象出来即为UPS的控制技术。