APC电源SUA750ICH高频UPS不间断电源750VA500W塔式蓄电池安装详细介绍

若R1太大，则在单结晶体管未导通时，电流Ib在R1上的压降太大，可能造成晶闸管的误导通，通常R1取50~100。电阻R2用来补偿温度对UP的影响，即用来稳定振荡频率，R2 通常取200~600Q。电容C的取值与脉冲宽度及Re的大小有关，通常取0.1~1uF。

单结晶体管同步触发电路。要想使充电电路对晶闸管整流电路的输出进行有效而准确的控制，则要求触发电路送出的触发脉冲必须与晶闸管阳极电压同步，例如在单相半控桥式整流电路中，应***晶闸管在每个周期承受正向阳极电压的半周内以控制角a相同的脉冲触发晶闸管。

图2-21(a)所示为单相半控桥式整流电路单结晶体管触发电路。图2-21(b)、(c)给出了电路中各点的波形。同步变压器T、整流桥以及稳压管VZ组成同步电路，同步变压器与主回路接在同一个电源上，从变压器T的二次绕组获得与主回路同频率、同相序的交流电压，此交流电压经过桥式不控整流(电压波形uA)与稳压管削波(电压波形uB)后得到梯形波电压uv，此梯形波既是同步信号又是触发电路的电源，每当梯形波电压1v过零时，即uv三u66=0时，单结晶体管的内部A点电压UA=0(参见图2-19),e与***基极b1之间导通，电容C 上的电荷很快经e、b,和R1放掉，使电容每次都能从零开始充电，这样就***了每次触发电路送出的***个脉冲与电源过零点的时刻(即a)一致，从而获得了同步。

曾大时，多。但管自激如果要进行移相控制，即控制整流输出电压U 的大小，调节电阻R。即可。当R，增大时，电容C上的电压上升到峰点电压的时间延长，则***个脉冲出现的时刻后移，即控制角a增大，整流电路的输出电压Ud减小。

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为了可靠、快速地触发大功率晶闸管，常常在触发脉冲的前沿叠加上一个强触发脉冲，其波形如图2-16所示。图中t，~t,为脉冲前沿的上升时间(<1us),t2~t3为强脉冲的宽度；IM为强脉冲的幅值(3Ic~5Ic);t1~t为脉冲的宽度；I为脉冲平均幅值(1.5Ic~2Ic)。

主电路

以负载会同步环节控制电压Wco 触发电路有

图2-16理想晶闸管触发脉冲电流波形

图2-17触发移相结构图触发脉冲的相位应能在规定范围内移动。例如单相全控桥整流电路阻性负载时，要求触发脉冲的移相范围是0o~180o,感性负载时，要求移相范围是0o~90o;三相半波可控整流电路阻性负载时，要求移相范围是0o~150o,感性负载时，要求移相范围是0o~90o, 

4触发脉冲与晶闸管主电路电源必须同步。为了使晶闸管在每个周期都能够以相同的控制角被触发导通，触发脉冲必须与电源同步，两者的频率应相同，而且要有固定的相位关系，以使每一周期都能在同样的相位上触发。其触发移相结构图如图2-17所示，触发电路同时受控制电压u与同步环节电压我，的控制。

(2)触发电路的种类

晶闸管的门极触发电路，根据控制晶闸管的通断状况不同，可分为移相触发与过零触发两类。移相触发就是改变晶闸管每周期导通的起始点即触发延迟角a 的大小，以达到改变输出电压、功率的目的；而过零触发是晶闸管在设定的时间间隔内，通过改变导通的周波数来实现电压或功率的控制。

如果按触发电路组成的元器件来分，又可分为分立元器件构成的触发电路、集成电路构成的触发电路、专用集成触发电路以及微机触发电路等几种。

触发信号又可分为模拟式和数字式两种。

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用电力电子器件

有晶闸管串并联的场合，触发脉冲的前沿越陡越有利于晶闸管的同时触发导通。

(1)对触发电路的要求

为了***晶/闸管电路能正常、可靠地工作，触发电路必须满足以下要求: 1触发脉冲应有足够的功率，触发脉冲的电压和电流应大于晶闸管产品目录提供的数据，并留有一定的裕量。

电流极限

晶闸管的门极伏安特性曲线如图2-15所示。由于同一型号晶闸管的门极伏安特性分散性比较大，所以规定晶闸管的门极阻值在某高阻(曲线OD) 和低阻(曲线OG)之间才算是合格的产品。晶闸管器件出厂时，所标注的门极触发电流Ic、门极触发电压Uc是指该型号所有合格器件都能被触发导通的最小门极电流、电压值，所以在接近坐标原点处IG和UG为界划出OABCO区域，在此区域内为不可靠触发区。在器件门极极限电流IGFM、门极极限电压UGFM和门极极限功率曲线的包围下，面积ABCDEFG (图中阴影部分)为可靠触发区，所有合格晶闸管器件的触发电压与触发电流都应在这个

区域内，在使用时，触发电路提供的门极触发电压与触发电流都应处于这个区域内。

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阻容移相桥、单结晶体管触发电路以及利用锯齿波移相电路或利用正弦波移相电路均为模拟式触发电路；而数字逻辑电路乃至微处理器控制的移相触发电路则属于数字式触发电路。

由单结晶体管组成的触发电路，具有简单、可靠、触发脉冲前沿陡、抗干扰能力强以及温度补偿性能好等优点，在单相与要求不高的三相晶闸管装置中得到广泛应用，但单结晶体管触发电路只能产生窄脉冲。对于电感较大的负载，由于晶闸管在触发导通时阳极电流上升较慢，在阳极电流还未到达管子擎住电流IL时，触发脉冲已经消失，使晶闸管在触发期间导通后又重新关断。所以单结晶体管如不采用脉冲扩宽措施，是不宜触发感性负载的。为了克服单结晶体管触发电路的缺点，在要求较高、功率较大的晶闸管装置中，大多采用晶体管组成的触发电路，目前都用以集成电路形式出现的集成触发器。本节重点分析单结晶体管触发电路、锯齿波同步触发电路以及集成触发电路。

(3)单结晶体管触发电路

1单结晶体管的结构及特性。单结晶体管有三个电极，两个基极(***基极b1、***基极b2)和一个发射极e，因此也称为双基极二极管，其结构、等效电路、电气符号及其引御如图2-18所示。

图2-18单结晶体管的结构、等效电路、电气符号及其引脚图

在一块高电阻率的N型硅半导体基片上，引出两个欧姆接触极:***基极b，、***基极b2,这两个基极之间的电阻Rb就是基片的电阻，其值约为2~12k0.在两基片间，靠近b2处设法掺入P型杂质--铝，引出电极称为发射极e，e对b，或b，就是一个PN结，具及此这极日浸泡的位电会前

第2章常用电力电子器件

有二极管的导电特性，又称双基极二极管。其等效电路如图2-18(b)所示，图中Rb1、Rb2 分别为发射极e与***基极b、***基极b2之间的电阻。