产品特性:稳压稳频 | 是否进口:否 | 产地:深圳 |
品牌:APC施耐德 | 型号:SP10KL-31 | 类型:DC/DC电源 |
输入电压:220 | 输出功率:9000 | 调制方式:脉冲调频调宽式 |
标称容量:10KVA | 产品认证:CE | 电源类型:不间断电源 |
额定容量:750va | 工作频率:50/60Hz | 工作湿度:0-90%无冷凝 |
工作温度:0-40°C | 规格:高频UPS | 绝缘电阻:25 |
控制方式:屏幕控制 | 频率范围:50/60Hz | 适用范围:大中小型企业机房 |
输出电流:12000 | 输出电压:220 | 输出频率:12000 |
输入电压范围:220-380 | 输入频率:50/60Hz | 外型尺寸:见正文 |
外形尺寸: 见正文参数 | 晶体管连接方式:半桥式 | 加工定制:否 |
工作效率:98% | 负载调整率:98% | 电压调整率:98% |
负载类型:稳定型 | 负载稳压率:96% | 频率稳压度:95 |
输出电压精度:99 | 电源名称:不间断电源 | 最小包装数:1 |
物料编号:9h6fs56d6s3s2f65006s5f9 | 系列:APC施耐德 | 通讯方式:智能报警 |
扩展功能:任意扩容 | 保护方式:熔断连接 | 工作环境温度:0-40°C |
防护等级:一级 | 重量:6.5-78950 | 备注说明:大中小型企业机房 |
价格说明:以客服报价为准 | 一般货期:1-7天 | 运输方式:大件物流小件快递 |
包装方式:纸箱/托盘/木箱 |
另一方面,当6脚外接二极管导通后,EXB840内部即开始缓降栅压对IGBT实行软关断。
除日本富士EXB84系列驱动器外,采用光耦隔离元件的集成驱动器还有日本英达HRO65、日本三菱M57959L~M57962以及国产的HL402等。使用这些驱动器时,读者可查阅有关商家的产品手册,在此不一一介绍。
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***要说明的是,光耦驱动器虽然具有很多优点,但需要较多的电源且信号传输延迟时间较长。采用变压器耦合驱动时可克服光耦驱动器的诸多不足,驱动电路结构简单和工作电源少是其突出优点。但是变压器耦合驱动器不能自动实现过流保护和任意脉宽输出,尤其是很难对SPWM信号脉冲的传输实现隔离。美国Unitrode公司的UC3726/3727就是专为克服不能实现任意脉宽输出而设计的,但其外围电路稍显过多,因而在目前传输信号频率不大高的场合还是多用光耦器件进行隔离。
2.4.8保护电路
将IGBT用于电力变换器时,应采取保护措施以防损坏器件,常用的保护措施有:
1通过检出的过电流信号切断门极控制信号,实现过电流保护;利用缓冲电路抑制过电压并限制过量的dV/dt;
利用温度传感器检测IGBT的壳温,当超过允许温度时主电路跳闸,实现过热保护。下面简单介绍三种保护电路。
如图2-64所示是一种实的IGBT过电流保护电路,由图可知,漏极电压与门极驱动信号相“与”后输出过电流信号,将此过电流信号反馈至主控电路切断门极信号,以保护IGBT不受损坏。
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如图2-65所示为另一种实用的IGBT过电流保护电路。当IGBT的漏极电流小于限流阈值时,比较器同相端电位低于反相端电位,其输出为低电平,VT3关断,当驱动信号为高电平时,VT2导通,驱动信号使IGBT导通;当驱动信号由高电平变为低电平时,VT2
的寄生二极管导通,驱动信号将IGBT关断。这时IGBT仅受驱动信号控制。
当导通的IGBT源极电流超过限流阈值,电流经电流互感器T、二极管VD3在电阻Rs 上产生的压降传送到比较器同相端,其电位将超过反相端电位,比较器输出由低电平翻转到高电平,VT1导通迅速泄放VT2的栅极电荷,VT2迅速关断,阻断了驱动信号传送到IGBT的门极;同时VT1驱动VT2迅速导通,将IGBT 的门极电荷迅速泄放,使IGBT关断;正反馈电阻R2使比较器在IGBT过电流被关断后保持输出高电平,以确保IGBT在本次开关周期IGBT 内不再导通。当驱动信号由高电平变为低电平,比驱动5 较器输出端随之变为低电平,同相端电位下降并低电路于反相端电位,过电流保护电路复位,为下一个开关周期的正常运行和过电流保护做好准备。当驱动信号再次变为高电平时,经导通的VT2驱动IGBT LM311 导通,如IGBT的源极电流不超过限流阚值,则过D, 电流保护电路不动作;如电流超过限流阈值,则过图2-65 IGBT过电流保护电路(2) 电流保护电路动作将IGBT再次关断。这样过电流保护电路实现了逐个脉冲电流限制。电流的限流阈值可通过调整电阻R5任意设置,由于采用了逐个脉冲电流限制,可将限流阀值设置在工作电流的1.1倍,这样既可确保IGBT在任何负载状态下电流被限制在限流阀值内,又不影响电路正常工作,因此具有较高的可靠性。
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第三种电路就是浪涌电压吸收电路,如图2-66所示。
如图2-66(a)所示是最简单的浪涌电压吸收电路,只是在直流端子间接入小容量电容而已,适用于50A系列以下的IGBT;如图2-66(b)所示的电路是用RCD电路吸收较大的浪涌能量,用电容吸收高频浪涌电压,这种方式适用于中等容量变换器的IGBT;如图2-66 (c)所示的电路在各臂上接有RCD的电路,元件并联时对应于1~2个元件接入一组RcD 电路,采用高速并且具有软恢复特性二极管较佳。另外可在二极管两端并联陶瓷电容从而减小浪涌电压;如图2-66(d)、(e)所示电路的吸收浪涌电压效果好,但其损耗比较大,因此应用于IGBT耐压余量较小的场合。