| 产品特性：稳压稳频 | 是否进口：否 | 产地：深圳 |
| 品牌：LADS雷迪司 | 型号：G3K | 类型：DC/DC电源 |
| 输入电压：220 | 输出功率：2400 | 调制方式：脉冲调频调宽式 |
| 标称容量：3KVA | 产品认证：CE | 电源类型：不间断电源 |
| 额定容量：1000va | 工作频率：50/60Hz | 工作湿度：0-90%无冷凝 |
| 工作温度：0-40°C | 规格：高频UPS | 绝缘电阻：25 |
| 控制方式：屏幕控制 | 频率范围：50/60Hz | 适用范围：大中小型企业机房 |
| 输出电流：12000 | 输出电压：220 | 输出频率：12000 |
| 输入电压范围：220-380 | 输入频率：50/60Hz | 外型尺寸：见正文 |
| 外形尺寸： 见正文参数 | 晶体管连接方式：半桥式 | 加工定制：否 |
| 工作效率：98% | 负载调整率：98% | 电压调整率：98% |
| 负载类型：稳定型 | 负载稳压率：96% | 频率稳压度：95 |
| 输出电压精度：99 | 电源名称：不间断电源 | 最小包装数：1 |
| 物料编号：9h6fs56d6s3s2f65006s5f9 | 系列：LADS雷迪司 | 通讯方式：智能报警 |
| 扩展功能：任意扩容 | 保护方式：熔断连接 | 工作环境温度：0-40°C |
| 防护等级：一级 | 重量：6.5-78950 | 备注说明：大中小型企业机房 |
| 价格说明：以客服报价为准 | 一般货期：1-7天 | 运输方式：大件物流小件快递 |
| 包装方式：纸箱/托盘/木箱 |
三相逆变控制技术
而且可能引为实现UPS
(1)锁
传统的压控振荡器所示。
与单相逆变器不同，三相逆变器输出为三相交流电。而对于大功率场合的三相UPS电
源来讲，其输出各相通常要和三相市电类似，能够独立带载，故一般UPS逆变器的输出为三相四线。由于三相负载一般都是不平衡的，这就要求逆变器有带***不平衡负载的能力。为了使不平衡负载情况下UPS三相输出电压对称，需要对输出电压的零序分量进行控制，对于三相四线的逆变器拓扑结构不能采用传统的空间矢量调制(SVPWM)方式，只能采用正弦脉宽调制(SPwM)方式。研究SVPWM原理可以发现，其调制波等效于基波加上一定量三次谐波的方式，该三次谐波在三相四线制的零线上将会造成叠加。
图4-17给出了三相UPS逆变器控制框图。该控制策略是基于电压电流双环控制，通过旋转坐标变换，把三相电压和电流从三相静止坐标系(abc)变换转化到两相旋转坐标系(dg)下，对于理想的三相交流电，选取与其频率相同的旋转角频率作为坐标系旋转速度，在旋转坐标系下的时变的交流电变换为直流量。同样类似单相逆变器双环控制策略，外环采用电压环，内环为电流环。电流环的输出通过坐标反变换，得到调制波u，再通过SPWM 调制，控制逆变桥工作。
其中，出信号。
1鉴号相位日:(
输出
以压
采用旋转坐标系，能将被控对象(三相交流电压或电流)变换为等效的直流信号进行处
理，降低了控制器优化设计的难度。
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但旋转坐标变换计算量较大，两次旋转变换将会给控制器带来一定的负担，控制系统的实时性受到影响。此外当逆变器带非线性负载情况下，基波频率下的旋转坐标变换将给控制对象带来较大误差，除非增加谐波对应的旋转坐标变换。
则输
4.2.3同步锁相控制技术
而
UPS电源和逆变电源的区别在于UPS电源需要在市电正常情况下跟踪市电并与其保持同步，否则 UPS在逆变供电和旁路供电之间切换时电压的跳变不仅带来较大的谐波，138
通祥
88Z
为
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A-UPS电源??蓄电池13181559708:
RL31
功率M(FET的结构和电气图形符号
MOS结构的导电沟道是由绝缘栅施加电压之后感应产生的。在如图2-31(a)所示的结构中，若在MOSFET栅极与源极之间施加一定大小的正电压，这时栅极相对于P区则为正电压。由于夹在两者之间的SiO2层不导电，聚集在电极上的正电荷就会在SiO2层下的半导体表面感应出等量的负电荷，从而使P型材料变成N型材料，进而形成反型层导电沟道。若栅压足够高，由此感应而生的N型层同漏与源两个N+区构成同型接触，使常态中存在的两个背靠背PN结不复存在，这就是该器件的导电沟道。由于导电沟道必须与源漏区导电类型一致，所以N-MOSFET以P型材料为衬底，栅源之间要加正电压；反之，P-MOSFET 以N型材料为衬底，栅源之间要加负电压。
根据载流子的类型不同，功率MOSFET可分为N沟道和P沟道两种，应用最多的是绝缘栅N沟道增强型。图2-31(b)所示为功率MOSFET的电气图形符号，图形符号中的箭头表示电子在沟道中移动的方向。左图表示N沟道，电流的方向是从漏极出发，经过N沟道流入N+区，***从源极流出；右图表示P沟道，电流方向是从源极出发，经过P沟道流入P+区，***从漏极流出。不论是N沟道的MOSFET还是P沟道的MOSFET，只有一种载流子导电，故称其为单极型器件。这种器件不存在像双极型器件那样的电导调制效应，也不存在少子复合问题，所以它的开关速度快、安全工作区宽并且不存在二次击穿问题。因为它是电压控制型器件，使用极为方便。此外，功率MOSFET的通态电阻具有正温度系数，因此它的漏极电流具有负温度系数，便于并联应用。
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功率MOSFET需要在G极与S极之间有一定的电压VcGS或一VGs，才有相应的漏极电流ID或一Ip。对N沟道的导通条件是:Vc>Vs,VGS=0.45~3V。VGs越大，I{D越大；对P沟道的导通条件是:Vc A-UPS电源??蓄电池13181559708: UPS电源技术及应用 2.3.2主要特性 功率MOSFET的特性包括静态特性和动态特性，输出特性和转移特性属静态特性，市开关特性则属动态特性。 (1)输出特性 输出特性也称漏极伏安特性，它是以栅源电压UGS为参变量，反映漏极电流ID与漏面 极电压UDs间关系的曲线簇，如图2-32所示。
