金武士TDF-33010GS工频UPS不间断电源10KVA9KW三进三出机柜式详细介绍

在测得的两个阻值中，较小的一次与红表笔接触的引脚是晶闸管的阴极K (一般为几千欧至几十千欧)，另一个引脚就是其阳极A(一般为几十千欧至几百千欧)。

当用数字式万用表的二极管挡进行判别时，将数字式万用表拨至二极管挡，先把红表笔接编号1，黑表笔依次接编号2和3。在两次测量中，若有一次电压显示为零点几伏，则说明编号1是门极，与黑表笔相接的是阴极，另一编号是阳极；若两者都显示溢出，则说明编号1不是门极。此时，再把红表笔接编号2，黑表笔依次接编号1和3。在这两次测量中，若有一次电压显示为零点几伏，则说明编号2是门极，与黑表笔相接的另一编号是阴极，很显然，第三个编号就是阳极；若两次都显示溢出，则说明编号2不是门极，但由上述可知，编号3肯定是门极。然后，把红表笔接编号3，黑表笔依次接编号1和2，若有一次电压显示为零点几伏，则说明与黑表笔相接的另一编号是阴极；若显示溢出，则说明与黑表笔相接的另一编号是阳极。

当用数字式万用电表的PNP挡进行判别时，将数字式万用表拨至PNP挡，把晶闸管的任意两个引脚分别插入PNP挡的c插孔和e插孔，然后用导线把第三个引脚分别和前两个引脚相接触。反复进行上述过程，直到屏幕显示从“000”变为显示溢出符号“1”为止。此时，插在c插孔的引脚是阴极K，插在e插孔的引脚是阳极A，很显然，第三个引脚是门极G.当然也可以用数字式万用电表的NPN挡进行检测，其测试步骤与上述方法相问。但肤得结论的不同点是:插在e插孔的引脚是阴极K，插在c插孔的引脚是阳极A。

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为了可靠、快速地触发大功率晶闸管，常常在触发脉冲的前沿叠加上一个强触发脉冲，其波形如图2-16所示。图中t，~t,为脉冲前沿的上升时间(<1us),t2~t3为强脉冲的宽度；IM为强脉冲的幅值(3Ic~5Ic);t1~t为脉冲的宽度；I为脉冲平均幅值(1.5Ic~2Ic)。

图2-16理想晶闸管触发脉冲电流波形

图2-17触发移相结构图触发脉冲的相位应能在规定范围内移动。例如单相全控桥整流电路阻性负载时，要

求触发脉冲的移相范围是0o~180o,感性负载时，要求移相范围是0o~90o;三相半波可控整流电路阻性负载时，要求移相范围是0o~150o,感性负载时，要求移相范围是0o~90o, 

4触发脉冲与晶闸管主电路电源必须同步。为了使晶闸管在每个周期都能够以相同的控制角被触发导通，触发脉冲必须与电源同步，两者的频率应相同，而且要有固定的相位关系，以使每一周期都能在同样的相位上触发。其触发移相结构图如图2-17所示，触发电路同时受控制电压u与同步环节电压我，的控制。

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(2)触发电路的种类

晶闸管的门极触发电路，根据控制晶闸管的通断状况不同，可分为移相触发与过零触发两类。移相触发就是改变晶闸管每周期导通的起始点即触发延迟角a 的大小，以达到改变输出电压、功率的目的；而过零触发是晶闸管在设定的时间间隔内，通过改变导通的周波数来实现电压或功率的控制。

如果按触发电路组成的元器件来分，又可分为分立元器件构成的触发电路、集成电路构成的触发电路、专用集成触发电路以及微机触发电路等几种。

触发信号又可分为模拟式和数字式两种。

阻容移相桥、单结晶体管触发电路以及利用锯齿波移相电路或利用正弦波移相电路均为模拟式触发电路；而数字逻辑电路乃至微处理器控制的移相触发电路则属于数字式触发电路。

由单结晶体管组成的触发电路，具有简单、可靠、触发脉冲前沿陡、抗干扰能力强以及温度补偿性能好等优点，在单相与要求不高的三相晶闸管装置中得到广泛应用，但单结晶体管触发电路只能产生窄脉冲。对于电感较大的负载，由于晶闸管在触发导通时阳极电流上升较慢，在阳极电流还未到达管子擎住电流IL时，触发脉冲已经消失，使晶闸管在触发期间导通后又重新关断。所以单结晶体管如不采用脉冲扩宽措施，是不宜触发感性负载的。为了克服单结晶体管触发电路的缺点，在要求较高、功率较大的晶闸管装置中，大多采用晶体管组成的触发电路，目前都用以集成电路形式出现的集成触发器。本节重点分析单结晶体管触发电路、锯齿波同步触发电路以及集成触发电路。

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(3)单结晶体管触发电路

1单结晶体管的结构及特性。单结晶体管有三个电极，两个基极(***基极b1、***基极b2)和一个发射极e，因此也称为双基极二极管，其结构、等效电路、电气符号及其引御如图2-18所示。

图2-18单结晶体管的结构、等效电路、电气符号及其引脚图

在一块高电阻率的N型硅半导体基片上，引出两个欧姆接触极:***基极b，、***基极b2,这两个基极之间的电阻Rb就是基片的电阻，其值约为2~12k0.在两基片间，靠近b2处设法掺入P型杂质--铝，引出电极称为发射极e，e对b，或b，就是一个PN结，具的位会前

第2章常用电力电子器件

有二极管的导电特性，又称双基极二极管。其等效电路如图2-18(b)所示，图中Rb1、Rb2 分别为发射极e与***基极b、***基极b2之间的电阻。

单结晶体管的实验电路和伏安特性如图2-19所示。

图2-19 单结晶体管实验电路与伏安特性

a.当S1闭合、S2断开时，I bb=0,二极管VD与Rb1组成串联电路，U.与I。的关系曲线与二极管正向特性曲线接近。

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b.当S1断开、S2闭合时，外加基极电压U_0经过Rb1、R b2分压，则A点对b1之间的电压UA为

Rb1 

UA= U_bb=U bb 

Rb1十R52 

式中，刀-Rb1/(Rb1+R b2),称为单结晶体管的分压比，7是由单结晶体管的内部结构

决定，一般为0.3~0.9。

c S1 闭合、S2也闭合，即单结晶体管加上一定的基极电压Ub。

U。从零开始逐渐增大，当Ue

当Ue=UA时，二极管VD处于零偏，电流Ie=0,如图2-19中的b点，管子仍处于截

止状态。当U。再增大，UA0。

当U。继续增大，达到UP值(图中P点)时，Up=UA+UD,二极管充分导通，I。***增大，当I.继续增大时，发射极P区的空穴不断地注入N区，与基片中的电子不断汇合，使N区Rb1段中的载流子大量增加，使Rb阻值迅速减小，U 降低，I。进一步增大，而1e的增大又进一步使Rb1减小，形成强烈的正反馈。随着Ie的增大，U 降低，又由于Ue=UA+Up,所以U.不断减小，从而得出单结晶体管的发射极e与***基极b，之间的动态电阻△R eb1=AU。/AI。为负值，这就是单结晶体管***的负阻特性。如图2-19所示