产品特性:稳压稳频 | 是否进口:否 | 产地:深圳 |
品牌:EAVDA爱维达 | 型号:爱维达HQ30L | 类型:DC/DC电源 |
输入电压:220 | 输出功率:360 | 调制方式:脉冲调频调宽式 |
标称容量:3KVA | 产品认证:CE | 电源类型:不间断电源 |
额定容量:3Kva | 工作频率:50/60Hz | 工作湿度:0-90%无冷凝 |
工作温度:0-40°C | 规格:高频UPS | 绝缘电阻:25 |
控制方式:屏幕控制 | 频率范围:50/60Hz | 适用范围:营业厅消防应急 |
输出电流:12000 | 输出电压:220 | 输出频率:12000 |
输入电压范围:220-380 | 输入频率:50/60Hz | 外型尺寸:见正文 |
外形尺寸: 见正文参数 | 晶体管连接方式:半桥式 | 加工定制:否 |
工作效率:*** | 负载调整率:98% | 电压调整率:*** |
负载类型:稳定型 | 负载稳压率:96% | 频率稳压度:95 |
输出电压精度:100 | 电源名称:不间断电源 | 最小包装数:1 |
物料编号:9h6fs56d6s3s2f65006s5f9 | 系列:航天柏克 | 通讯方式:智能报警 |
扩展功能:任意扩容 | 保护方式:熔断连接 | 工作环境温度:0-40°C |
防护等级:一级 | 重量:6.5-78950 | 备注说明:网络服务器、数据存储设备 |
价格说明:以客服报价为准 | 一般货期:1-7天 | 运输方式:大件物流小件快递 |
包装方式:纸箱/托盘/木箱 | 发货地点:济南 |
由图 5-27可知,由于开关管的驱动脉冲是由其他电路供给,故称之为他励式。输出电容器C和负载尺,是在开关管截止时从变压器次级获得能量,因而称之为反激电源,其工作原理可简述如下当驱动脉冲为高电平时,开关管下从截止变成导通,变压器的初级线圈N,流过的由流:。线性增加,在N,上产生一极性为上正下负的感应电势,使次级线圈N,产生一极性上伍下正的感应电势,二极管VD承受反向偏压而截止,i为零,变压器不能将输入端能量传送到输出端,此时负载电流由电容放电提供,变压器初级线圈电感储存能量,当驱动脉冲为低电平时,开关管工从导通变为截止,i。趋向于零,变压器初级线圈N.的磁通量变小,使次级线圈N,变为上正下负的感应电势。二极管VD导通,给输出电容C充电;同时也向负载供电。同普通开关电源一样,其输出电压大小的调整可通过调整驱动脉冲的占空比8=Ton/T。来实现。
EAVDA爱维达HQ30L工频塔式UPS不间断电源3KVA2400W发电厂变电站
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(2)他励式正激电如图5-28所示为他励式正激电源原理图,它与反激式的不同之处在于,开关管下导通期间,输人端电源经变压器B向输出电容C和负载提供能量。在结构上,变压器B增加了一个去磁线圈N。N,的匝数一般与N,相同,但也可不同。正激式电源的工作过程与反激式电源基本相似。当驱动信号为高电平时,工从截止变为导通,Np线圈流过电流逐渐增大,在Np线圈上产生一上正下负的电动势,同时次级线圈N。也产生一个上正下负的感应电势。二极管VD:导通,输人端能量经变压器B、二极管VD,提供给电感L、电容C和负载。
当驱动脉冲为低电平时,开关管下从导通变成截止,ip趋向于零,感应电动势的方向相反(上负下正),使二极管VD2截止。二极管VD。正向导通,电感L向负载提供能量。这时去磁线圈N,的感应电势为上正下负,VD;二极管导通,以使N,上存储的能量通过VD,回送到直流输人回路,起到去磁作用,对于正檄式变换器,驱动脉冲的占空比一般不能大于0.5,若大于0.5,易使变压器初级绕组中存储的能量在一个周期内无法释放完,在开关管再次导通时,去磁电流不为零,在开关管集电极会引起很大的尖峰流,使变压器趋于饱和,而导致开关管下损坏。
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(3)反馈式辅助电源辅助电湖也可以通过高频变压器获得输出后反馈过来提供,此时需要一个启动电路提供瞬时能量,使PWM型电源启动,图5-29是反馈型辅助电源的一个例子。这是一个直接从电网整流的正激单端开关型稳压电源,辅助电源Vv由起振后高频变压器T」的一组副边输出电压通过二极管VD106提供,中间虚线框内是辅助电源的启动电路,在电网合闸时,电容Cz通过电阻R:充电,其电压被稳压管VDz1钳位,C2是一个容量较大(如图中为600puF)的低压电解电容,用以储能;Rr阻值较大,以限制稳态时稳压管VDz的工作电流。当C2充电完毕后,按下启动按钮开关K,晶体管VT,通过R2获得偏流而启振,变压器下5副边绕组Nsos的正向电压通过二极管VDs02馈送给正激单端开关电源的控制电路和驱动电路,高压开关管获得正向基极驱动而导通,高频变压器T1的副边绕组N3获得正向电压,并通过VD106作为辅助电源提供,启动电路的作用即告完成。
反馈式辅助电源作为PWM型开关电源本身的一组负载,可取代死负载从而可望提高效率,体积也不大,但电路比较复杂。
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漏极连续电流Ip和漏极峰值电流I DM
漏极连续电流ID和漏极峰值电流I pM表征功率MOSFET的电流容量,它们主要受线温的限制,功率MOSFET允许的漏极连续电流Ip是
8 ID=√PDM/Ron=√(TM一Tc)/RonRTiC
实际上功率MOSFET的漏极连续电流Ip通常没有直接的用处,仅是作为一个基准这是因为许多实际应用的MOSFET是工作在开关状态中,因此在非直流或脉冲工作情况,其漏极电流由额定峰值电流I DM定义。只要不超过额定结温,峰值电流I DM可以超过续电流。在25℃时,大多数功率MOSFET的IDM大约是连续电流额定值的2~4倍。
此外值得注意的是:随着结温T升高,实际允许的ID和I DM均会下降。如型号为
IRF330的功率MOSFET,当Tc=25℃时,Ip为5.5A,当Tc=100℃时,ID为3.3A 所以在选择器件时必须根据实际工作情况考虑裕量,防止器件在温度升高时,漏极电流降低而损坏。
图2- 先用导接近无穷大,紧接上开,相当于给明跨导值越高较小。具体测紧接上一下,给栅极短接后肤。