| 产品特性：稳压稳频 | 是否进口：否 | 产地：深圳 |
| 品牌：EAVDA爱维达 | 型号：爱维达HQ10I | 类型：DC/DC电源 |
| 输入电压：220 | 输出功率：360 | 调制方式：脉冲调频调宽式 |
| 标称容量：1KVA | 产品认证：CE | 电源类型：不间断电源 |
| 额定容量：1Kva | 工作频率：50/60Hz | 工作湿度：0-90%无冷凝 |
| 工作温度：0-40°C | 规格：高频UPS | 绝缘电阻：25 |
| 控制方式：屏幕控制 | 频率范围：50/60Hz | 适用范围：营业厅消防应急 |
| 输出电流：12000 | 输出电压：220 | 输出频率：12000 |
| 输入电压范围：220-380 | 输入频率：50/60Hz | 外型尺寸：见正文 |
| 外形尺寸： 见正文参数 | 晶体管连接方式：半桥式 | 加工定制：否 |
| 工作效率：*** | 负载调整率：98% | 电压调整率：*** |
| 负载类型：稳定型 | 负载稳压率：96% | 频率稳压度：95 |
| 输出电压精度：100 | 电源名称：不间断电源 | 最小包装数：1 |
| 物料编号：9h6fs56d6s3s2f65006s5f9 | 系列：爱维达 | 通讯方式：智能报警 |
| 扩展功能：任意扩容 | 保护方式：熔断连接 | 工作环境温度：0-40°C |
| 防护等级：一级 | 重量：6.5-78950 | 备注说明：网络服务器、数据存储设备 |
| 价格说明：以客服报价为准 | 一般货期：1-7天 | 运输方式：大件物流小件快递 |
| 包装方式：纸箱/托盘/木箱 | 发货地点：济南 |
因此必须根据电系统负荷电流大小、停电频次、电池温度和电池组新旧程1及时调整得充电压，2程持会道的环境国度，尽可能使环境温度保持在(20士5)范围内，以保持电池区部国度不超过30じ，机房内的环捷温度不得超过35C,定期检测电池的内阻(或电导)，虽然用电导仪测量电池的电导可以判断电池的质量有容量低于顾定容量的50%时，电池的电导值才会迅速下降。因此，当蓄电池组中各单优状态，但是肖电池组的容量在额定容量的50%以上时，测得的电导值几乎没有变化，只是电他的容量均大于80%的额定容量时，就不能用电导(或内阻)来估算电池容量和预测由能的使用寿向。然而对同一电池而言，一旦发现内阻异常增大，则很可能是失水所致(4)失水的处理失水的处理流程为:打开电池盖一补加纯水一处理硫化故障一将电池密封。
国速当补加纯水。当阀控式密封铅蓄电池发生失水故降后，可设法补加纯水，具体方法如下,打开电池盖，因为阀控式密封铅蓄电池不是全密封的电池，都留有排气通道，所以电池盖与电池槽之间通常只是部分粘接在一起，即留有缝隙用于排气。只要找到粘接位置用适当的工具即可打开电池盖。
b、补加适量的纯水:给电池补加纯水时要注意适量，因为阀控式密封铅蓄电池是贫液式电池，加水过多会堵塞气体通道，影响氧气的复合效率。不过氧复合效率低会使过量的水被不断消耗，并最终使电池成为贫液状态。但是，如果加水量太多造成电解液成流动状态，剩会使侧立安置的电池发生漏液现象。
EAVDA爱维达HQ10I工业级UPS不间断电源1KVA800W电力石油工业制造
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紧接上述操作，表笔不动，电阻值维持在某一数值，用镊子等导电物将G与S短接
一下，给栅极放电，万用表指针应立即向左转至无穷大。具体操作如图2-39所示。
短接后脱开黑黑0 R×10k K RX10k 短接后脱开红
图2-38 D与G短接，测 VMOS管R Ds 图2-39 G与S短接时的测试情况
上述测量方法是针对N沟道VMOs场效应管而言，若测量P沟道管，则应将万用表两表笔的位置调换。
2.3.5驱动电路
功率M0SFET栅极驱动电路的形式各种各样，按驱动电路与栅极的连接方式可分为三类:直接驱动、隔离驱动和集成驱动。
EAVDA爱维达HQ10I工业级UPS不间断电源1KVA800W电力石油工业制造
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(1)直接驱动电路
1 TTL驱动电路。图2-40(a)是最简单的TTL驱动电路，它应能输出开通驱动电流IcG(on)和吸取关断电流IG(off。图中TTL电路可以是驱动器、缓冲器或其他逻辑电路。这种开集电极的驱动器末级是单管输出，受其灌电流的限制外接电阻R都在数百欧。用这种驱动器驱动功率MOSFET开通时，因R阻值较大，因此器件的开通时间较长。
UPS电源技术及应用
()最简单的TTL驱动电路
FET 图2-40TTL驱动电路互补输出驱动电路。图2-41(a
所示为由晶体管组成的互补输出电路，采用这种电路不但可提高开通时的速度，而且也可提高关断速度。在这种电路中输出晶体管VT是作为射极跟随器工作的，不会出现饱和，因不影响功率MOSFET的开关频率。
图2-41(b)所示为由MOS管组成的互补驱动电路，由于采用了-VE电源，在关断驶
动时，可加速栅极输入电容的放电，缩短关断时间。
EAVDA爱维达HQ10I工业级UPS不间断电源1KVA800W电力石油工业制造
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3 CMOS驱动电路。直接用CMOS器件也可以驱动功率MOSFET，而且它们可以共用一组电源，栅极电压在小于10V时，MOSFET将处于电阻区不需要外接电阻，电路更简单。不过开关速度低并且驱动功率要受电流源和CMOS器件吸收电容量的限制。
(2)隔离驱动电路
隔离式栅极驱动电路根据隔离元件的不同，可分为电磁隔离和光电隔离两种。
1脉冲变压器隔离驱动电路。脉冲变压器是典型的电磁隔离元件，如图2-42示出了几种脉冲变压器驱动的形式。如图2-42(a)所示是利用续流二极管VD限制了驱动晶体管VT 中出现的过电压，关断时间较长。如图2-42(b)所示的电路，在续流二极管VD支路中串接一只稳压管VZ，当VT关断时起钳位作用，从而缩短了关断时间。如图2-42(c所示电路是在栅极电阻上并联了加速二极管VDs，使充电电流经过它向输入电容充电，增大了充电电流，加快了MOSFET的开通速度。如图2-42(d)是用互补型式驱动功率MOsFET 的板极，由于关断时利用二次绕组 W2形成的反向电压，因此明显地降低了关断过程的时间延迟。
光耦合器驱动电路。利用光耦合器的隔离驱动电路如图2-43所示。
