| 产品特性：稳压稳频 | 是否进口：否 | 产地：深圳 |
| 品牌：LADS雷迪司 | 型号：GR3KL | 类型：DC/DC电源 |
| 输入电压：220 | 输出功率：3000 | 调制方式：脉冲调频调宽式 |
| 标称容量：3KVA | 产品认证：CE | 电源类型：不间断电源 |
| 额定容量：1000va | 工作频率：50/60Hz | 工作湿度：0-90%无冷凝 |
| 工作温度：0-40°C | 规格：高频UPS | 绝缘电阻：25 |
| 控制方式：屏幕控制 | 频率范围：50/60Hz | 适用范围：大中小型企业机房 |
| 输出电流：12000 | 输出电压：220 | 输出频率：12000 |
| 输入电压范围：220-380 | 输入频率：50/60Hz | 外型尺寸：见正文 |
| 外形尺寸： 见正文参数 | 晶体管连接方式：半桥式 | 加工定制：否 |
| 工作效率：98% | 负载调整率：98% | 电压调整率：98% |
| 负载类型：稳定型 | 负载稳压率：96% | 频率稳压度：95 |
| 输出电压精度：99 | 电源名称：不间断电源 | 最小包装数：1 |
| 物料编号：9h6fs56d6s3s2f65006s5f9 | 系列：LADS雷迪司 | 通讯方式：智能报警 |
| 扩展功能：任意扩容 | 保护方式：熔断连接 | 工作环境温度：0-40°C |
| 防护等级：一级 | 重量：6.5-78950 | 备注说明：大中小型企业机房 |
| 价格说明：以客服报价为准 | 一般货期：1-7天 | 运输方式：大件物流小件快递 |
| 包装方式：纸箱/托盘/木箱 |
开通时间c分为延时时间t和上升时间:，两部分，ton与功率MOSFET的开启电压UGs(th)和输入电容Cis有关，并受信号源的上升时间和内阻的影响。关断时间to可分为储存时间:、和下降时间t两部分，to 则由功率MOSFET漏源间电容CDs和负载电阻决定。通常功率MOSFET的开关时间为10~100ns,而双极型器件的开关时间则以微秒计，甚至达到几十微秒。
2.3.3 主要参数
流在负田
(1)通态电阻Ron
通态电阻Ro是与输出特性密切相关的参数，是指在确定的栅源电压Ucs下，功率MOSFET由可调电阻区进入饱和区时的集射极间的直流电阻。它是影响输出功率的重要参数。在开关电路中它决定了输出电压幅度和自身损耗大小。
LADS雷迪司GR3KL机架式UPS不间断电源3000VA2400W长机外接电池柜
在相同的条件下，耐压等级愈高的器件，其通态电阻愈大，且器件的通态压降愈大。这也是功率MOSFET电压难以提高的原因之一。
由于功率MOSFET的通态电阻具有正电阻温度系数，当电流增大时，附加发热使Ran
增大，对电流的增加有抑制作用。
(2)开启电压Ucs(th)
开启电压UcS(t为转移特性曲线与横坐标交点处的电压值，又称阈值电压。在实际应用中，通常将漏栅短接条件下ID等于1mA时的栅极电压定义为开启电压Ucs(tb,它随结温升高而下降，具有负的温度系数。
(3)跨导gm
跨导定义为g-△Ip/AUcs,即为转移特性的斜率，单位为西门子(S).8表示功率MOSFET的放大能力，故跨导gm的作用与GTR 中电流增益相似。
(4)漏源击穿电压BUps
漏源击穿电压BUDs决定了功率MOSFET的工作电压，它是为了避免器件进入雪崩区而设的极限参数。BUps主要取决于漏区外延层的电阻率、厚度及其均匀性。由于电阻
A-UPS电源??蓄电池:
UPS电源技术及应用
率随温度不同而变化，因此当结温升高，BUps随之增大，耐压提高。这与双极型器件长GTR和晶闸管等随结温升高耐压降低的特性恰好相反。
LADS雷迪司GR3KL机架式UPS不间断电源3000VA2400W长机外接电池柜
(5)栅源击穿电压BUes
栅源击穿电压BUcs是为了防止绝缘栅层因栅漏电压过高而发生介电击穿而设定的数。一般栅源电压的极限值为士20V。
(6)功耗PpM
依次做下述测量，1将万用表置然后将红表笔接漏
PDM=(T3M-Tc)/RrC
功率MOSFET功耗为
式中，TM为额定结温(TjM=150℃);Tc为管壳温度；RTjc为结到壳间的稳态热阻由上式可见，器件的耗散功率与管壳温度有关。在TjM和 RTjC为定值的条件下PDM将随Tc的增高而下降，因此，器件在使用中散热条件是十分重要的。
(7)漏极连续电流Ip和漏极峰值电流I DM
漏极连续电流ID和漏极峰值电流I pM表征功率MOSFET的电流容量，它们主要受线温的限制，功率MOSFET允许的漏极连续电流Ip是
ID=√PDM/Ron=√(TM一Tc)/RonRTiC
实际上功率MOSFET的漏极连续电流Ip通常没有直接的用处，仅是作为一个基准这是因为许多实际应用的MOSFET是工作在开关状态中，因此在非直流或脉冲工作情况，其漏极电流由额定峰值电流I DM定义。只要不超过额定结温，峰值电流I DM可以超过续电流。在25℃时，大多数功率MOSFET的IDM大约是连续电流额定值的2~4倍。
此外值得注意的是:随着结温T升高，实际允许的ID和I DM均会下降。如型号为
IRF330的功率MOSFET，当Tc=25℃时，Ip为5.5A,当Tc=100℃时，ID为3.3A 所以在选择器件时必须根据实际工作情况考虑裕量，防止器件在温度升高时，漏极电流降低而损坏。
LADS雷迪司GR3KL机架式UPS不间断电源3000VA2400W长机外接电池柜
(1)判别管脚
1判别栅极G。将万用表置于RX1k挡，分别测量3个管脚间的电阻，如果测得某管脚与其余两管脚间的电阻值均为无穷大，且对换表笔测量时阻值仍为无穷大，则证明此脚是栅极G。因为从结构上看，栅极G与其余两脚是绝缘的。但要注意，此种测量法仅对管内无保护二极管的VMOS管适用。
判定源极S和漏极D。由VMOS管结构可知，在源-漏极之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异的特点，可准确识别源极S和漏极D。将万用表置于RX1k 挡，先用一表笔将被测VMOS管3个电极短接一下，然后用交换表笔的方法测两次电阻，如果管子是好的，必然会测得阻值为一大一小。其中阻值较大的一次测量中，黑表笔所接的为漏极D，红表笔所接的为源极S，而阻值较小的一次测量中，红表笔所接的为漏极D，黑表笔所接的为源极S，这种规律还证明，被测管为N沟道管。如果被测管子为P沟道管，则所测阻值的大小规律正好相反。
图2-38
上述测表笔的位置2.3.5驱
(2)好坏的判别
用万用表R×1k挡去测量场效应管任意两引脚之间的正、反向电阳值。如果出现两次
及两次以上电阻值较小(几乎为0),则该场效应管损坏；如果仅出现一次电阳值较小( 般为数百欧)，其余各次测量电阻值均为无穷大，还需作进一步判断。以 N沟道管为例，司
1T IG(on)和吸开集电极动器驱动.
