产品特性:稳压稳频 | 是否进口:否 | 产地:深圳 |
品牌:LADS雷迪司 | 型号:GR6K | 类型:DC/DC电源 |
输入电压:220 | 输出功率:4800 | 调制方式:脉冲调频调宽式 |
标称容量:6KVA | 产品认证:CE | 电源类型:不间断电源 |
额定容量:1000va | 工作频率:50/60Hz | 工作湿度:0-90%无冷凝 |
工作温度:0-40°C | 规格:高频UPS | 绝缘电阻:25 |
控制方式:屏幕控制 | 频率范围:50/60Hz | 适用范围:大中小型企业机房 |
输出电流:12000 | 输出电压:220 | 输出频率:12000 |
输入电压范围:220-380 | 输入频率:50/60Hz | 外型尺寸:见正文 |
外形尺寸: 见正文参数 | 晶体管连接方式:半桥式 | 加工定制:否 |
工作效率:98% | 负载调整率:98% | 电压调整率:98% |
负载类型:稳定型 | 负载稳压率:96% | 频率稳压度:95 |
输出电压精度:99 | 电源名称:不间断电源 | 最小包装数:1 |
物料编号:9h6fs56d6s3s2f65006s5f9 | 系列:LADS雷迪司 | 通讯方式:智能报警 |
扩展功能:任意扩容 | 保护方式:熔断连接 | 工作环境温度:0-40°C |
防护等级:一级 | 重量:6.5-78950 | 备注说明:大中小型企业机房 |
价格说明:以客服报价为准 | 一般货期:1-7天 | 运输方式:大件物流小件快递 |
包装方式:纸箱/托盘/木箱 |
检测方法
(1)判别管脚
1判别栅极G。将万用表置于RX1k挡,分别测量3个管脚间的电阻,如果测得某管脚与其余两管脚间的电阻值均为无穷大,且对换表笔测量时阻值仍为无穷大,则证明此脚是栅极G。因为从结构上看,栅极G与其余两脚是绝缘的。但要注意,此种测量法仅对管内无保护二极管的VMOS管适用。
判定源极S和漏极D。由VMOS管结构可知,在源-漏极之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异的特点,可准确识别源极S和漏极D。将万用表置于RX1k 挡,先用一表笔将被测VMOS管3个电极短接一下,然后用交换表笔的方法测两次电阻,如果管子是好的,必然会测得阻值为一大一小。其中阻值较大的一次测量中,黑表笔所接的为漏极D,红表笔所接的为源极S,而阻值较小的一次测量中,红表笔所接的为漏极D,黑表笔所接的为源极S,这种规律还证明,被测管为N沟道管。如果被测管子为P沟道管,则所测阻值的大小规律正好相反。
LADS雷迪司GR6K机架式UPS不间断电源6000VA4800W标准机内置蓄电池
图2-38
上述测表笔的位置2.3.5驱
(2)好坏的判别
用万用表R×1k挡去测量场效应管任意两引脚之间的正、反向电阳值。如果出现两次
及两次以上电阻值较小(几乎为0),则该场效应管损坏;如果仅出现一次电阳值较小( 般为数百欧),其余各次测量电阻值均为无穷大,还需作进一步判断。以 N沟道管为例,司
功率类:直接
(1)
1T IG(on)和吸开集电极动器驱动
依次做下述测量,以判定管子是否良好。
1将万用表置于R×1k挡。先将被测vMos管的栅极G与源极S用镊子短接一下,然后将红表笔接漏极D,黑表笔接源极S,所测阻值应为数千欧,如图2-36所示。
维B连
先用导线短接G与S,将万用表置于RX10k挡,红表笔接S,黑表笔接D,阻值应接近无穷大,否则说明VMOS管内部PN结的反向特性较差,如图2-37所示。
3紧接上述测量,将G与S间短路线去掉,表笔位置不动,将D与G短接一下再脱开,相当于给栅极注入了电荷,此时阻值应大幅度减小并且稳定在某一阻值。此阻值越小说明跨导值越高,管子的性能越好。如果万用表指针向右摆幅很小,说明VMOS管的跨导值较小。在相同的条件下,耐压等级愈高的器件,其通态电阻愈大,且器件的通态压降愈大。这也是功率MOSFET电压难以提高的原因之一。
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由于功率MOSFET的通态电阻具有正电阻温度系数,当电流增大时,附加发热使Ran
增大,对电流的增加有抑制作用。
(2)开启电压Ucs(th)
开启电压UcS(t为转移特性曲线与横坐标交点处的电压值,又称阈值电压。在实际应用中,通常将漏栅短接条件下ID等于1mA时的栅极电压定义为开启电压Ucs(tb,它随结温升高而下降,具有负的温度系数。
(3)跨导gm
跨导定义为g-△Ip/AUcs,即为转移特性的斜率,单位为西门子(S).8表示功率MOSFET的放大能力,故跨导gm的作用与GTR 中电流增益相似。
(4)漏源击穿电压BUps
漏源击穿电压BUDs决定了功率MOSFET的工作电压,它是为了避免器件进入雪崩区而设的极限参数。BUps主要取决于漏区外延层的电阻率、厚度及其均匀性。由于电阻
A-UPS电源??蓄电池:
UPS电源技术及应用
率随温度不同而变化,因此当结温升高,BUps随之增大,耐压提高。这与双极型器件长GTR和晶闸管等随结温升高耐压降低的特性恰好相反。(5)栅源击穿电压BUes
栅源击穿电压BUcs是为了防止绝缘栅层因栅漏电压过高而发生介电击穿而设定的数。一般栅源电压的极限值为士20V。
(6)功耗PpM
依次做下述测量,1将万用表置然后将红表笔接漏
PDM=(T3M-Tc)/RrC
功率MOSFET功耗为
式中,TM为额定结温(TjM=150℃);Tc为管壳温度;RTjc为结到壳间的稳态热阻由上式可见,器件的耗散功率与管壳温度有关。在TjM和 RTjC为定值的条件下PDM将随Tc的增高而下降,因此,器件在使用中散热条件是十分重要的。
(7)漏极连续电流Ip和漏极峰值电流I DM
漏极连续电流ID和漏极峰值电流I pM表征功率MOSFET的电流容量,它们主要受线温的限制,功率MOSFET允许的漏极连续电流Ip是
ID=√PDM/Ron=√(TM一Tc)/RonRTiC
实际上功率MOSFET的漏极连续电流Ip通常没有直接的用处,仅是作为一个基准这是因为许多实际应用的MOSFET是工作在开关状态中,因此在非直流或脉冲工作情况,其漏极电流由额定峰值电流I DM定义。只要不超过额定结温,峰值电流I DM可以超过续电流。在25℃时,大多数功率MOSFET的IDM大约是连续电流额定值的2~4倍。
此外值得注意的是:随着结温T升高,实际允许的ID和I DM均会下降。如型号为
IRF330的功率MOSFET,当Tc=25℃时,Ip为5.5A,当Tc=100℃时,ID为3.3A 所以在选择器件时必须根据实际工作情况考虑裕量,防止器件在温度升高时,漏极电流降低而损坏。
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(1)判别管脚
1判别栅极G。将万用表置于RX1k挡,分别测量3个管脚间的电阻,如果测得某管脚与其余两管脚间的电阻值均为无穷大,且对换表笔测量时阻值仍为无穷大,则证明此脚是栅极G。因为从结构上看,栅极G与其余两脚是绝缘的。但要注意,此种测量法仅对管内无保护二极管的VMOS管适用。
判定源极S和漏极D。由VMOS管结构可知,在源-漏极之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异的特点,可准确识别源极S和漏极D。将万用表置于RX1k 挡,先用一表笔将被测VMOS管3个电极短接一下,然后用交换表笔的方法测两次电阻,如果管子是好的,必然会测得阻值为一大一小。其中阻值较大的一次测量中,黑表笔所接的为漏极D,红表笔所接的为源极S,而阻值较小的一次测量中,红表笔所接的为漏极D,黑表笔所接的为源极S,这种规律还证明,被测管为N沟道管。如果被测管子为P沟道管,则所测阻值的大小规律正好相反。
图2-38
上述测表笔的位置2.3.5驱
(2)好坏的判别
用万用表R×1k挡去测量场效应管任意两引脚之间的正、反向电阳值。如果出现两次
及两次以上电阻值较小(几乎为0),则该场效应管损坏;如果仅出现一次电阳值较小( 般为数百欧),其余各次测量电阻值均为无穷大,还需作进一步判断。以 N沟道管为例,司
1T IG(on)和吸开集电极动器驱动.