| 产品特性：稳压电源 | 是否进口：否 | 产地：深圳 |
| 品牌：KELONG/科华 | 型号：KELONG科华YTR1102L | 类型：DC/DC电源 |
| 输入电压：220 | 输出功率：800 | 调制方式：脉冲调频调宽式 |
| 标称容量：1KVA | 产品认证：CE | 电源类型：不间断电源 |
| 额定容量：1000va | 工作频率：50/60Hz | 工作湿度：0-90%无冷凝 |
| 工作温度：0-40°C | 规格：高频UPS | 绝缘电阻：25 |
| 控制方式：屏幕控制 | 频率范围：50/60Hz | 适用范围：中小型设备机房 |
| 输出电流：12000 | 输出电压：220 | 输出频率：12000 |
| 输入电压范围：220-380 | 输入频率：50/60Hz | 外型尺寸：见正文 |
| 外形尺寸： 见正文参数 | 晶体管连接方式：半桥式 | 加工定制：否 |
| 工作效率：*** | 负载调整率：98% | 电压调整率：*** |
| 负载类型：稳定型 | 负载稳压率：96% | 频率稳压度：95 |
| 输出电压精度：100 | 电源名称：UPS不间断电源 | 最小包装数：1 |
| 物料编号：9h6fs56d6s3s2f65006s5f9 | 系列：FR-UK系列 | 通讯方式：智能报警 |
| 扩展功能：任意扩容 | 保护方式：熔断连接 | 工作环境温度：0-40°C |
| 防护等级：一级 | 重量：150 | 备注说明：本产品适用于中小型弱电机房 |
| 发货地点：济南 | 价格说明：以客服报价为准 |
与ェ轴同方向，它所存在的时间为ェ/3。在这段时间以后，工作状态转为110，电机的电压空间矢量为u，它在空间上与u、相差x/3，随着逆变器工作状态的不断切换，电机电压空间矢量的相位也作相应变化到一个周期结束，u。***怡好与u。尾端衔接，一个周期的六个电压空间矢量共转过2形成一个封闭的正六边形。至于111与000这两个无意义的工作状态，可分别冠以w。和uw，并称之为零矢量，它们的幅值为0，也无相位，可认为它们坐落在六边形的中心点上常规的六拍逆变器只能产生六个矢量，输出相电压和线电压都是方波。其所以如此，是由于在一个周期中功率开关器件只有6次开关切换，切换后所形成的6个电压空间矢量都是恒定不动的。如果想获得正弦波输出，必须产生在空间按一定规律旋转的矢量，PWM控制显然可以适应这个要求，
逆变器的电压空间矢量虽然只有8个，但可以利用它们的线性组合，以获得更多的与相位不同的新的电压空间矢量，最终构成一组等幅不同相的电压空间矢量。这样，在一个周期内逆变器的开关状态就超过了6个，而有些开关状态会多次出现。所以逆变器的输出电压将不是六拍阶梯波，而是一系列等幅不等宽的脉冲波，这就形成了电压空间矢量控制的PWM逆变器
如图4-12表示了由u』、Ug构成新的电压矢量u;的线性组合。设在u，状态终了后，期望在时间T:内(在图4-12中以相应的6电角度表示)，起作用的是电压空间矢量ug。图4-12中采用了部分u。与部分u。的矢量和得到u;。从物理意义上说:“部分us”表示u』的作用时间短于常规六拍逆变器的作用时间n/3，它虽然与u。相位相同，但幅值却较小。在图4-12中，tqus/T.与tzus/T。分别表示部分u』与部分u。矢量，它们的合成矢量为u,。可以看出up的相位与us1、u』2都不同，但幅值相同。
科华YTR1102L高频UPS不间断电源2kva长效机外接电池选配续航方案
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其中，出信号。
1鉴号相位日:(
输出
以压
采用旋转坐标系，能将被控对象(三相交流电压或电流)变换为等效的直流信号进行处
理，降低了控制器优化设计的难度。但旋转坐标变换计算量较大，两次旋转变换将会给控制器带来一定的负担，控制系统的实时性受到影响。此外当逆变器带非线性负载情况下，基波频率下的旋转坐标变换将给控制对象带来较大误差，除非增加谐波对应的旋转坐标变换。
则输
4.2.3同步锁相控制技术
而
UPS电源和逆变电源的区别在于UPS电源需要在市电正常情况下跟踪市电并与其保持同步，否则 UPS在逆变供电和旁路供电之间切换时电压的跳变不仅带来较大的谐波，138
通祥
88Z
为
RL31
功率M(FET的结构和电气图形符号
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MOS结构的导电沟道是由绝缘栅施加电压之后感应产生的。在如图2-31(a)所示的结构中，若在MOSFET栅极与源极之间施加一定大小的正电压，这时栅极相对于P区则为正电压。由于夹在两者之间的SiO2层不导电，聚集在电极上的正电荷就会在SiO2层下的半导体表面感应出等量的负电荷，从而使P型材料变成N型材料，进而形成反型层导电沟道。若栅压足够高，由此感应而生的N型层同漏与源两个N+区构成同型接触，使常态中存在的两个背靠背PN结不复存在，这就是该器件的导电沟道。由于导电沟道必须与源漏区导电类型一致，所以N-MOSFET以P型材料为衬底，栅源之间要加正电压；反之，P-MOSFET 以N型材料为衬底，栅源之间要加负电压。
根据载流子的类型不同，功率MOSFET可分为N沟道和P沟道两种，应用最多的是绝缘栅N沟道增强型。图2-31(b)所示为功率MOSFET的电气图形符号，图形符号中的箭头表示电子在沟道中移动的方向。左图表示N沟道，电流的方向是从漏极出发，经过N沟道流入N+区，***从源极流出；右图表示P沟道，电流方向是从源极出发，经过P沟道流入P+区，***从漏极流出。不论是N沟道的MOSFET还是P沟道的MOSFET，只有一种载流子导电，故称其为单极型器件。这种器件不存在像双极型器件那样的电导调制效应，也不存在少子复合问题，所以它的开关速度快、安全工作区宽并且不存在二次击穿问题。因为它是电压控制型器件，使用极为方便。此外，功率MOSFET的通态电阻具有正温度系数，因此它的漏极电流具有负温度系数，便于并联应用。
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功率MOSFET需要在G极与S极之间有一定的电压VcGS或一VGs，才有相应的漏极电流ID或一Ip。对N沟道的导通条件是:Vc>Vs,VGS=0.45~3V。VGs越大，I{D越大；对P沟道的导通条件是:Vc UPS电源技术及应用 2.3.2主要特性 功率MOSFET的特性包括静态特性和动态特性，输出特性和转移特性属静态特性，市开关特性则属动态特性。 (1)输出特性 输出特性也称漏极伏安特性，它是以栅源电压UGS为参变量，反映漏极电流ID与漏面 极电压UDs间关系的曲线簇，如图2-32所示。
