| 产品特性：稳压电源 | 是否进口：否 | 产地：深圳 |
| 品牌：KELONG/科华 | 型号：KELONG科华YTR1103L | 类型：DC/DC电源 |
| 输入电压：220 | 输出功率：800 | 调制方式：脉冲调频调宽式 |
| 标称容量：3KVA | 产品认证：CE | 电源类型：不间断电源 |
| 额定容量：1000va | 工作频率：50/60Hz | 工作湿度：0-90%无冷凝 |
| 工作温度：0-40°C | 规格：高频UPS | 绝缘电阻：25 |
| 控制方式：屏幕控制 | 频率范围：50/60Hz | 适用范围：中小型设备机房 |
| 输出电流：12000 | 输出电压：220 | 输出频率：12000 |
| 输入电压范围：220-380 | 输入频率：50/60Hz | 外型尺寸：见正文 |
| 外形尺寸： 见正文参数 | 晶体管连接方式：半桥式 | 加工定制：否 |
| 工作效率：*** | 负载调整率：98% | 电压调整率：*** |
| 负载类型：稳定型 | 负载稳压率：96% | 频率稳压度：95 |
| 输出电压精度：100 | 电源名称：UPS不间断电源 | 最小包装数：1 |
| 物料编号：gfdnhgkd145fg1fg | 系列：FR-UK系列 | 通讯方式：智能报警 |
| 扩展功能：任意扩容 | 保护方式：熔断连接 | 工作环境温度：0-40°C |
| 防护等级：一级 | 重量：150 | 备注说明：本产品适用于中小型弱电机房 |
| 发货地点：济南 | 价格说明：以客服报价为准 |
电流环的参考输入为电压环的输出，取电感电流作为电流环的反馈，误差经过P调节器后输出调制波，由相应的PWM策略产生控制脉冲驱动逆变桥工作。
和电压单环控制相比，控制策略有两点变换。一是电压外环通常为瞬时电压闭环而不是有效值或幅值闭环，不仅***输出电压的稳压精度，而且能在非线性负载条件下校正输出波形，尽可能地减小输出电压谐波。二是增加了电流内环，能够有效提高系统动态响应。通常情况下，电流内环的速度要比电压外环快得多，当电流环的增益足够大时，电流环路可以用一个比例环节代替，如图4-16所示。电流内环通常有电感电流反馈和电容电流反馈两种两者参考电压到输出电压的传递函数相同，在输出电压跟踪效果上无差别，但电容电流反馈的抗负载扰动性能优于电感电流反馈，而电流保护能力不如电感电流反馈。图4-16中采用了电感电流反馈方式，
需要说明的是，在UPS逆变器控制中，如果市电正常(电压和频率都在要求范围之内)，则电压外环的参考u心u应为市电;如果市电异常，则参考u0u为标准幅值、标准频率，标准谐波的正弦信号。
科华YTR1103L高频UPS不间断电源3kva长效机外接电池选配续航方案
输入电容Cis、输出电容C{o55和反馈电容Cr5是应用中常用的参数，它们与极间电容的关系定义为
Cis=CGs+CcD;Cos5=CDs+CcD;Crs=CGD
D
90%u
10%u
本VD宁C_Ds
CGs
10%u。
10%ou
bs
90%u.
90%u.
图2-34 功率MOSFET极间电容的等效电路
图2-35功率MOSFET开关过程的电压波形功率MOSFET的开关过程的电压波形如图2-35所示。开通时间to}分为延时时间t和上升时间两部分，ton与功率MOSFET的开启电压UcS(th)和输人电容Ciss有关，并受信号源的上升时间和内阻的影响。关断时间tof可分为储存时间t，和下降时间t{两部分，toff 则由功率MOSFET漏源间电容CDs和负载电阻决定。通常功率MOSFET的开关时间为10~100ns,而双极型器件的开关时间则以微秒计，甚至达到几十微秒。
科华YTR1103L高频UPS不间断电源3kva长效机外接电池选配续航方案
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2.3.3 主要参数
(1)通态电阻Ron
通态电阻R o0n是与输出特性密切相关的参数，是指在确定的栅源电压UGs 下，功率MOSFET由可调电阻区进入饱和区时的集射极间的直流电阻。它是影响输出功率的重要参数。在开关电路中它决定了输出电压幅度和自身损耗大小。
在相同的条件下，耐压等级愈高的器件，其通态电阻愈大，且器件的通态压降愈大。这也是功率MOSFET电压难以提高的原因之一。
由于功率MOSFET的通态电阻具有正电阻温度系数，当电流增大时，附加发热使Ron 增大，对电流的增加有抑制作用。
(2)开启电压UcS(th)
开启电压UcS(tb为转移特性曲线与横坐标交点处的电压值，又称阀值电压。在实际应用中，通常将漏栅短接条件下Ip等于1mA时的栅极电压定义为开启电压UcS(th,它随结温升高而下降，具有负的温度系数。
(3)跨导gm
跨导定义为g，AID/AUGs,即为转移特性的斜率，单位为西门子(S)。g表示功率MOSFET的放大能力，故跨导g的作用与GTR中电流增益8相似。
(4)漏源击穿电压BU ps
漏源击穿电压BUDs决定了功率MOSFET的工作电压，它是为了避免器件进人雪崩区而设的极限参数。BUDs主要取决于漏区外延层的电阻率、厚度及其均匀性。由于电阻
科华YTR1103L高频UPS不间断电源3kva长效机外接电池选配续航方案
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UPS电满技术及应用
随益度不同而变化、因此当结温升高，BUns随之增大，耐压提高。这与双板型器件GTR和晶闸管等随结升高耐压降低的特性恰好相反。
5)柳菠击电压RU
耕源击穿电压BUc8是为了防止绝缘栅层因栅漏电压过高而发生介电击穿而设定的数，一般栅源电压的极限值为士20V.
(6)功Pm 功率MOSFET功耗
PD=(T3M-Tc)/Rric
式中，T为额定结温(T3M=150℃):Tc为管壳温度；RTic为结到壳间的稳态热阳
由上式可见，器件的耗散功率与管壳温度有关。在TjM和RTjc为定值的条件下Prx{将随Tc的堵高而下降，因此，器件在使用中散热条件是十分重要的。
(7)漏极莲续电流I，和漏极峰值电流IpM
涛连续电流ID和漏极峰值电流IDM表征功率MOSFET的电流容量，它们主要受结的限制，功率MOSFET允许的漏极连续电流ID是
ID=、√P DM/Ron=√(TM-Tc)/RonRTiC
实际上功率MOSFET的漏极连续电流Ip通常没有直接的用处，仅是作为一个基准
这是因为许多实际应用的MOSFET是工作在开关状态中，因此在非直流或脉冲工作情况，其漏极电流由额定峰值电流IDM定义。只要不超过额定结温，峰值电流IDM可以超过连续电流。在25℃时，大多数功率MOSFET的IDM大约是连续电流额定值的2~4倍。
此外值得注意的是:随着结温T升高，实际允许的ID和I DM均会下降。如型号为IRF330的功率MOSFET，当Tc=25℃时，Ip为5.5A,当Tc=100℃时，ID为3.3A, 所以在选择器件时必须根据实际工作情况考虑裕量，防止器件在温度升高时，漏极电流降低而损坏。
