| 产品特性：稳压稳频 | 是否进口：否 | 产地：深圳 |
| 品牌：EAVDA爱维达 | 型号：爱维达HQ3120I | 类型：DC/DC电源 |
| 输入电压：220 | 输出功率：360 | 调制方式：脉冲调频调宽式 |
| 标称容量：20KVA | 产品认证：CE | 电源类型：不间断电源 |
| 额定容量：20Kva | 工作频率：50/60Hz | 工作湿度：0-90%无冷凝 |
| 工作温度：0-40°C | 规格：高频UPS | 绝缘电阻：25 |
| 控制方式：屏幕控制 | 频率范围：50/60Hz | 适用范围：营业厅消防应急 |
| 输出电流：12000 | 输出电压：220 | 输出频率：12000 |
| 输入电压范围：220-380 | 输入频率：50/60Hz | 外型尺寸：见正文 |
| 外形尺寸： 见正文参数 | 晶体管连接方式：半桥式 | 加工定制：否 |
| 工作效率：*** | 负载调整率：98% | 电压调整率：*** |
| 负载类型：稳定型 | 负载稳压率：96% | 频率稳压度：95 |
| 输出电压精度：100 | 电源名称：不间断电源 | 最小包装数：1 |
| 物料编号：9h6fs56d6s3s2f65006s5f9 | 系列：爱维达 | 通讯方式：智能报警 |
| 扩展功能：任意扩容 | 保护方式：熔断连接 | 工作环境温度：0-40°C |
| 防护等级：一级 | 重量：6.5-78950 | 备注说明：网络服务器、数据存储设备 |
| 价格说明：以客服报价为准 | 一般货期：1-7天 | 运输方式：大件物流小件快递 |
| 包装方式：纸箱/托盘/木箱 | 发货地点：济南 |
灰尘积累太多，会使蓄电池组连接点接触不良，改变蓄电池充放电时的电压值，容易引起故障。擦拭蓄电池时切记要用于布或毛刷，使用吸尘器。
(2)每天巡视一次
每天要定时察看蓄电池，一要闻空气中是否有微酸气味，如果有微酸气味，则有可能是再充电压设置过高，导致蓄电池排出酸雾，此时要及时调整电压和进行通风处理，二要看蓄电他的外形有无变形、温度是否正常，蓄电池的端子和安全阀有无油液、安全阀能否正常开启等，如果有异常则要及时更换蓄电池，以有空调设备，则应根据窒内温度及时调整浮充电压如果有空调设备，应检查空调的温度控制情况，***温度控制在25C左右为宜，如果
3)每周测试电压值
25C时蓄电池的浮充电压值应设置为(2.25士0.02)V/只。如果浮充电压值选择过低，则个别电池会由于长期充电不足造成硫化而失效;如果浮充电压值选择过高，则电池的氧复合效率低，气体逸出量增加，电池容易失水，蓄电池的均充电压值应设置为2.35V/只，不应超过2.40V/只，充电电压过高将引起充电电流过大，产生的热量会使电解液温度升高，温度升高又会导致充电电流增大，如此循环会使蓄电池发生热失控而变形、开裂。
EAVDA爱维达HQ3120I工业级UPS不间断电源20KVA16KW三进单出海工
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工作原理
-种由N沟道功率M0SFET与电力(双极型)晶体管组合而成的IGBT的基本结构如图2-55(a)所示。将这个结构与功率MOSFET结构相对照，不难发现这两种器件的结构十分相似，不同之处在于IGBT 比功率MOSFET多一层P+注入区，从而形成一个大面积的P+N结J1,这样就使得IGBT导通时可由P+注人区向N基区发射少数载流子(即空穴)，对漂移区电导率进行调制，因而IGBT具有很强的电流控制能力。
介于P+注入区与N+漂移区之间的N+层称为缓冲区。有无缓冲区可以获得不同特性的IGBT。有N+缓冲区的 IGBT称为非对称型(也称穿通型)IGBT.它具有正向压降小、关断时间短、关断时尾部电流小等优点，但反向阻断能力相对较弱。无N+缓冲区的IGBT 称为对称型(也称非穿通型)1GBT。这种IGBT具有较强的正反向阻断能力，但其他特性却不及非对称型IGBT。目前以上两种结构的IGBT 均有产品。在图2-55(a)中，C为集电极，E为发射极，G为栅极(也称门极)。该器件的电气图形符号如图2-55(c)所示，图中UPS电源技术及应用所示箭头表示IGBT中电流流动的方向(P沟道IGBT的箭头与其相反)。
EAVDA爱维达HQ3120I工业级UPS不间断电源20KVA16KW三进单出海工
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发射极栅极G N N P{ 漂移区一缓冲区一注入区GO
o (c)电气图形符号1 C集电极(b)简化等效电路(a)内部结构断面示意图图2-55 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号简单来说，IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。
它的简化等效电路如图2-55(b)所示，图中RN为PNP晶体管基区内的调制电阻。从该等效电路可以清楚地看出，IGBT是用晶体管和功率MOSFET组成的复合器件。因为图中的晶体管为PNP型晶体管。MOSFET为N沟道场效应晶体管，所以这种结构的IGBT称为N沟道IGBT。类似地还有P沟道IGBT。IGBT是一种场控器件，它的开通和关断由栅极和发射极间电压UGE决定。当栅射极电压UGE为正且大于开启电压UGE(th》时，MOSFET内形成沟道并为PNP晶体管提供基极电流进而使IGBT导通。此时，从P+区注入N-的空穴(少数载流子) 对N-区进行电导调制，减小N-区的电阻RN，使高耐压的IGBT也具有很低的通态压降，当栅射极间不加信号或加反向电压时，MOSFET 内的沟道消失，则PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT即关断。由此可见，IGBT的驱动原理与MOSFET基本相同。
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2.42基本特性
(1)静态特性
IGBT的静态特性包括转移特性和输出特性。
1转移特性。IGBT转移特性是描述集电极电流Ic与栅射电压UGE之间的相互关系，如图2-56(a)所示。此特性与功率MOSFET的转移特性相似。由图2-56(a)可知，Ic与Uc基本呈线性关系，只有当UGE在UGE(th)附近时才呈非线性关系。当栅射电压UGE小于UcE(t)时，IGBT处于关断状态；当UGE大于UGE(thb)时，IGBT开始导通。由此可知，UGE(t)是IGBT能实现电导调制而导通的***栅射电压。UGE(t随温度升高略有下降，温度每升高1℃,其值下降5mV左右。在25℃时，IGBT的开启电压UcE(th)一般为2~6V。Ie 有源区
第2章常用电力电子器件
时集电极电流Ic与集射极间电压UcE之间的关系，IGBT的输出特性如图2-56(b)所示。此特性与GTR的输出特性相似，不同的是控制变量。
