| 产品特性：稳压稳频 | 是否进口：否 | 产地：深圳 |
| 品牌：EAVDA爱维达 | 型号：爱维达HQ3130I | 类型：DC/DC电源 |
| 输入电压：220 | 输出功率：360 | 调制方式：脉冲调频调宽式 |
| 标称容量：20KVA | 产品认证：CE | 电源类型：不间断电源 |
| 额定容量：20Kva | 工作频率：50/60Hz | 工作湿度：0-90%无冷凝 |
| 工作温度：0-40°C | 规格：高频UPS | 绝缘电阻：25 |
| 控制方式：屏幕控制 | 频率范围：50/60Hz | 适用范围：营业厅消防应急 |
| 输出电流：12000 | 输出电压：220 | 输出频率：12000 |
| 输入电压范围：220-380 | 输入频率：50/60Hz | 外型尺寸：见正文 |
| 外形尺寸： 见正文参数 | 晶体管连接方式：半桥式 | 加工定制：否 |
| 工作效率：*** | 负载调整率：98% | 电压调整率：*** |
| 负载类型：稳定型 | 负载稳压率：96% | 频率稳压度：95 |
| 输出电压精度：100 | 电源名称：不间断电源 | 最小包装数：1 |
| 物料编号：9h6fs56d6s3s2f65006s5f9 | 系列：爱维达 | 通讯方式：智能报警 |
| 扩展功能：任意扩容 | 保护方式：熔断连接 | 工作环境温度：0-40°C |
| 防护等级：一级 | 重量：6.5-78950 | 备注说明：网络服务器、数据存储设备 |
| 价格说明：以客服报价为准 | 一般货期：1-7天 | 运输方式：大件物流小件快递 |
| 包装方式：纸箱/托盘/木箱 | 发货地点：济南 |
每月测量单体蓄电池的电压值蓄电池串联使用易出现电压不均衡现象，电压低者易成为落后电池。如果落后电池得不到及时充电，则在以后的充放电或者浮充过程中，其落后程度会越来越深，最终导致落后电池失效。所以每月应测量每个单体电池的电压值，对低于2.20V的电池要进行均衡充电，使其恢复到完全充电状态，以免个别落后电池失效。
(5)定期进行均衡充电
每季度对全组电池进行一次均衡充电，充电方法如前所述。
(6)每半年测量内阻和开路电压
电池的内阻在电池的剩余容量大于50%时，几乎没有什么变化，但在剩余容量小于50%后，其内阻呈线性上升。当电池的内阻出现明显上升时，即表明电池的容量已***下降。所以，可通过测量电池的内阻发现落后或失效电池，在有条件(不会对通信造成中断)的情况下，可让蓄电池脱离充电设备，静置2h后测量其内阻和开路电压。内阻大和开路电压低的蓄电池，应及时对其进行容量恢复处理，若不能恢复(容量达不到额定容量的80%以上)，则应对其进行更换。
EAVDA爱维达HQ3130I工业级UPS不间断电源30KVA24KW三进单出航空
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IGBT为栅射电压UGE而晶体管为基极电流IB。IGBT的输出特性分正向阻断区、有源区和饱和区。当UGE<0时，IGBT为反向阻断工作状态。由图2-55(a)可知，此时P+N结(J1结)处于反偏状态，因而不管MOSFET的沟道体区中有没有形成沟道，均不会有集电极电流出现。由此可见，IGBT 由于比MOSFET多了一个J结而获得反向电压阻断能力，IGBT能够承受的反向阻断电压URM取决于J1结的雪崩击穿电压。当UCE>0而UcE
EAVDA爱维达HQ3130I工业级UPS不间断电源30KVA24KW三进单出航空
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对于工作在开关状态的IGBT，应尽量避免工作在有源区(线性区)，否则IGBT的功耗将会很大。饱和区是指输出特性比较明显弯曲的部分，此时集电极电流Ic与极射电压UcGE不再呈线性关系。在电力电子电路中，IGBT工作在开关状态，因而IGBT是在正向阻断区和饱和区之间来回转换。
(2)动态特性
图2-57给出了IGBT开关过程的波形图。IGBT的开通过程与MOSFET的开通过程很相似。这是因为IGBT在开通过程中大部分时间UoE UcEM 是作为MOSFET运行的。开通时间ton定义为从90% IGEM 驱动电压UGE的脉冲前沿上升到10%UGEM(幅
10% ICEM 值)处起至集电极电流Ic上升到90%IcM处止所LcM 需要的时间。开通时间ton又可分为开通延迟时间90% ICM d(on)! d(off tdon}和电流上升时间t， 两部分。td(on定义为从_位2 10%UGE到出现10%IcM所需要的时间；t定义10%ICM
100
为集电极电流Ic从10%I cM上升至90%I cM所需UcEUcEM 要的时间。集射电压UCE的下降过程分成t v1}和tv2两段，tfV段曲线为IGBT中MOSFET单独H1AJ1} 工作的电压下降过程；try2段曲线为MOSFET和PNP晶体管同时工作的电压下降过程。trv2段电
EAVDA爱维达HQ3130I工业级UPS不间断电源30KVA24KW三进单出航空
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压下降变缓的原因有两个:其一是UCE电压下降图2-57 IGBT的动态特性时，IGBT中MOSFET的栅漏电容增加，致使电压下降变缓，这与MOSFET相似；其二是IGBT的PNP晶体管由放大状态转换到饱和状态要有一个过程，下降时间变长，这也会造成电压下降变缓。由此可知IGBT只有在trv2结束才完全进人饱和状态。
IGBT关断时，从驱动电压Uc的脉冲后沿下降到90%UGEM处起，至集电极电流下降到10%IcM处止，这段过渡过程所需要的时间称为关断时间ff。关断时间t+f包括关断延迟时间t(of1和电流下降时间t两部分。其中L1co定义为从90%UcEM处起至集电极电流下降到90%IcM处止的时间间隔；1定义为集电极电流从90%I cM处下降至10%IcM处的时间间隔。电流下时间tr又可分为t6和ti两段，t份1对应IGBT内部的MOSFET的关断过程，
UPS电源技术及应用
1拉对应于IGBT 内部的PNP晶体管的关断过程。
IGBT的击穿电压、通态压降和关断时间都是需要折中的参数。高压器件的N基区必介有足够的宽度和较高的电阻率，这会引起通态压降的增大和关断时间的延长。在头际电路励用中，要根据具体情况合理选择器件参数。
