产品特性:稳压稳频 | 是否进口:否 | 产地:深圳 |
品牌:LADS雷迪司 | 型号:G6K | 类型:DC/DC电源 |
输入电压:220 | 输出功率:4800 | 调制方式:脉冲调频调宽式 |
标称容量:6KVA | 产品认证:CE | 电源类型:不间断电源 |
额定容量:1000va | 工作频率:50/60Hz | 工作湿度:0-90%无冷凝 |
工作温度:0-40°C | 规格:高频UPS | 绝缘电阻:25 |
控制方式:屏幕控制 | 频率范围:50/60Hz | 适用范围:大中小型企业机房 |
输出电流:12000 | 输出电压:220 | 输出频率:12000 |
输入电压范围:220-380 | 输入频率:50/60Hz | 外型尺寸:见正文 |
外形尺寸: 见正文参数 | 晶体管连接方式:半桥式 | 加工定制:否 |
工作效率:98% | 负载调整率:98% | 电压调整率:98% |
负载类型:稳定型 | 负载稳压率:96% | 频率稳压度:95 |
输出电压精度:99 | 电源名称:不间断电源 | 最小包装数:1 |
物料编号:9h6fs56d6s3s2f65006s5f9 | 系列:LADS雷迪司 | 通讯方式:智能报警 |
扩展功能:任意扩容 | 保护方式:熔断连接 | 工作环境温度:0-40°C |
防护等级:一级 | 重量:6.5-78950 | 备注说明:大中小型企业机房 |
价格说明:以客服报价为准 | 一般货期:1-7天 | 运输方式:大件物流小件快递 |
包装方式:纸箱/托盘/木箱 |
柳菠击电压RU
耕源击穿电压BUc8是为了防止绝缘栅层因栅漏电压过高而发生介电击穿而设定的数,一般栅源电压的极限值为士20V.
(6)功Pm 功率MOSFET功耗
PD=(T3M-Tc)/Rric
式中,T为额定结温(T3M=150℃):Tc为管壳温度;RTic为结到壳间的稳态热阳
由上式可见,器件的耗散功率与管壳温度有关。在TjM和RTjc为定值的条件下Prx{将随Tc的堵高而下降,因此,器件在使用中散热条件是十分重要的。
(7)漏极莲续电流I,和漏极峰值电流IpM
涛连续电流ID和漏极峰值电流IDM表征功率MOSFET的电流容量,它们主要受结的限制,功率MOSFET允许的漏极连续电流ID是
ID=、√P DM/Ron=√(TM-Tc)/RonRTiC
实际上功率MOSFET的漏极连续电流Ip通常没有直接的用处,仅是作为一个基准
这是因为许多实际应用的MOSFET是工作在开关状态中,因此在非直流或脉冲工作情况,其漏极电流由额定峰值电流IDM定义。只要不超过额定结温,峰值电流IDM可以超过连续电流。在25℃时,大多数功率MOSFET的IDM大约是连续电流额定值的2~4倍。
此外值得注意的是:随着结温T升高,实际允许的ID和I DM均会下降。如型号为IRF330的功率MOSFET,当Tc=25℃时,Ip为5.5A,当Tc=100℃时,ID为3.3A, 所以在选择器件时必须根据实际工作情况考虑裕量,防止器件在温度升高时,漏极电流降低而损坏。
LADS雷迪司G6K塔式UPS不间断电源6000VA4800W标准机内置蓄电池
检测方法
(1)判别管脚
1判别栅极G。将万用表置于R×1k挡,分别测量3个管脚间的电阻,如果测得某管脚与其余两管脚间的电阻值均为无穷大,且对换表笔测量时阻值仍为无穷大,则证明此脚是栅极G.因为从结构上看,栅极G与其余两脚是绝缘的。但要注意,此种测量法仅对管内无保护二极管的VMOS管适用。
2判定源极S和漏极D。由VMOS管结构可知,在源-漏极之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异的特点,可准确识别源极S和漏极D。将万用表置于RX1k 挡,先用一表笔将被测VMOs管3个电极短接一下,然后用交换表笔的方法测两次电阻。如果管子是好的,必然会测得阻值为一大一小。其中阻值较大的一次测量中,黑表笔所接的为漏极D,红表笔所接的为源极S,而阻值较小的一次测量中,红表笔所接的为漏极D,黑表笔所接的为源极s,这种规律还证明,被测管为N沟道管。如果被测管子为P沟道管则所测阻值的大小规律正好相反。
(2)好坏的判别
用万用表R×1k挡去测量场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值。
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输入电容Cis、输出电容C{o55和反馈电容Cr5是应用中常用的参数,它们与极间电容的关系定义为
Cis=CGs+CcD;Cos5=CDs+CcD;Crs=CGD
D
90%u
10%u
本VD宁C_Ds
CGs
10%u。
10%ou
bs
90%u.
90%u.
图2-34 功率MOSFET极间电容的等效电路
图2-35功率MOSFET开关过程的电压波形功率MOSFET的开关过程的电压波形如图2-35所示。开通时间to}分为延时时间t和上升时间两部分,ton与功率MOSFET的开启电压UcS(th)和输人电容Ciss有关,并受信号源的上升时间和内阻的影响。关断时间tof可分为储存时间t,和下降时间t{两部分,toff 则由功率MOSFET漏源间电容CDs和负载电阻决定。通常功率MOSFET的开关时间为10~100ns,而双极型器件的开关时间则以微秒计,甚至达到几十微秒。
2.3.3 主要参数
(1)通态电阻Ron
通态电阻R o0n是与输出特性密切相关的参数,是指在确定的栅源电压UGs 下,功率MOSFET由可调电阻区进入饱和区时的集射极间的直流电阻。它是影响输出功率的重要参数。在开关电路中它决定了输出电压幅度和自身损耗大小。
在相同的条件下,耐压等级愈高的器件,其通态电阻愈大,且器件的通态压降愈大。这也是功率MOSFET电压难以提高的原因之一。
由于功率MOSFET的通态电阻具有正电阻温度系数,当电流增大时,附加发热使Ron 增大,对电流的增加有抑制作用。
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(2)开启电压UcS(th)
开启电压UcS(tb为转移特性曲线与横坐标交点处的电压值,又称阀值电压。在实际应用中,通常将漏栅短接条件下Ip等于1mA时的栅极电压定义为开启电压UcS(th,它随结温升高而下降,具有负的温度系数。
(3)跨导gm
跨导定义为g,AID/AUGs,即为转移特性的斜率,单位为西门子(S)。g表示功率MOSFET的放大能力,故跨导g的作用与GTR中电流增益8相似。
(4)漏源击穿电压BU ps
漏源击穿电压BUDs决定了功率MOSFET的工作电压,它是为了避免器件进人雪崩区而设的极限参数。BUDs主要取决于漏区外延层的电阻率、厚度及其均匀性。由于电阻
A-UPS电源??蓄电池13181559708:
UPS电满技术及应用
随益度不同而变化、因此当结温升高,BUns随之增大,耐压提高。这与双板型器件GTR和晶闸管等随结升高耐压降低的特性恰好相反。