| 产品特性：稳压稳频 | 是否进口：否 | 产地：深圳 |
| 品牌：LADS雷迪司 | 型号：G10K | 类型：DC/DC电源 |
| 输入电压：220 | 输出功率：9000 | 调制方式：脉冲调频调宽式 |
| 标称容量：10KVA | 产品认证：CE | 电源类型：不间断电源 |
| 额定容量：1000va | 工作频率：50/60Hz | 工作湿度：0-90%无冷凝 |
| 工作温度：0-40°C | 规格：高频UPS | 绝缘电阻：25 |
| 控制方式：屏幕控制 | 频率范围：50/60Hz | 适用范围：大中小型企业机房 |
| 输出电流：12000 | 输出电压：220 | 输出频率：12000 |
| 输入电压范围：220-380 | 输入频率：50/60Hz | 外型尺寸：见正文 |
| 外形尺寸： 见正文参数 | 晶体管连接方式：半桥式 | 加工定制：否 |
| 工作效率：98% | 负载调整率：98% | 电压调整率：98% |
| 负载类型：稳定型 | 负载稳压率：96% | 频率稳压度：95 |
| 输出电压精度：99 | 电源名称：不间断电源 | 最小包装数：1 |
| 物料编号：9h6fs56d6s3s2f65006s5f9 | 系列：LADS雷迪司 | 通讯方式：智能报警 |
| 扩展功能：任意扩容 | 保护方式：熔断连接 | 工作环境温度：0-40°C |
| 防护等级：一级 | 重量：6.5-78950 | 备注说明：大中小型企业机房 |
| 价格说明：以客服报价为准 | 一般货期：1-7天 | 运输方式：大件物流小件快递 |
| 包装方式：纸箱/托盘/木箱 |
集成驱动电路
1 IR2125芯片驱动电路。IR2125是一种单片高压高速单通道功率MOSFET驱动器，它包括输入/输出逻辑、保护电路、电平移位电路、输出驱动和自举电源等部分。VD1 可达500v 图2-44给出了IR2125的典型驱动电路。其浮置电压是通过一个自举电路从固定电源来的。图中的充电二极管VD1的耐压必须大于高IN 压直流母线上的尖峰电压，为防止自举电容C 去负载放电，必须使用快恢复二极管。自举电容C3 图2-44IR2125的典型驱动电路的大小与开关频率、占空比和被驱动功率MOSFET的栅极电荷要求有关，电容C3上的电压降不能低于欠压锁定门限。
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Vcc的旁路电容C1和C2应能为自举电源提供足够的瞬态电流。C1和C2的值一般取
自举电容C3值的10倍左右。
IR2130芯片驱动电路。IR2130可直接驱动中小容量的功率MOSFET。它有六路输
入信号和输出信号，其中六路输出信号中的三路具有电平转换功能，因而IR2130芯片驱动
电路既能驱动桥式电路中低压侧的功率器件，又能驱动高压侧的功率元件。也就是说，该驱
动器可共地运行，且只需一路控制电源，而常规的驱动系统通常包括光电隔离器件或者脉冲
变压器，同时还必须向驱动电路提供相应的隔离电源。
图2-45所示为IR2130在直流永磁无刷电机控制系统中的应用电路图。UC3625为无刷
直流电机控制器，其H、H2、H为转子位置检测输入端，其输出端的信号经电平变换后
送至IR2130输入端，再经三相桥式逆变电路后驱动电机，实现转速或转矩调节。
UC3724/3725芯片驱动电路。UC3724/3725一起配对组成隔离的MOSFET栅极驱
动电路，特别适合于驱动全桥变换器的高压侧MOSFET，典型应用电路如图2-46所示。
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UPS电源??蓄电池13181559708:
图2-46 UC3724/3725配对典型应用电路
该电路驱动参数如下: a.200m W平均栅极驱动功率；b.100kHz的开关频率；c15V供电:
d. 1kV的隔离电压。(4)实用驱动电路举例
1正反馈型驱动电路。如图2-47所示为正反馈型驱动电路。正反馈信号的获得是二次绕组W3实现的。当输入信号为高电平时，反相器I的输出为高电平，在该驱动信号用下出现漏极电流，此时一次绕组W，中感生出星号端为正的反电动势，在变压器二次w3中也感生出相应极性的电势，并通过R1 率MOSFET 的输入电容充电，随着功MOSFET的导通不停地给栅极施以正反馈，了功率MOSFET的开通过程，缩短了开通时当输人信号为低电平时，使功率MOSFET关反相器I输出高电平并使辅助管FETA开通而将功率MOSFET的栅极接地，迫使其输容迅速放电，加速功率MOSFET的关断速由此可见这种电路是一种高速开关电路。
图2-47正反馈型驱动电路
窄脉冲自保护驱动电路。如图2-48所
一种具有过载和短路保护功能的窄脉冲驱动电当输入信号1；由低变高时，晶体管VT1导
A-UPS电源??蓄电池13181559708:
脉冲变压器一次绕组上的电压为电源电压Vc1在电阻R2、R3上取得的分压值。脉冲变压器可以做得很小，故在很短时间内就会饱和，耦合到其二次绕组的电压是一个正向尖脉冲，该尖脉冲使VT2导通，VT2、VT3组成两级正反馈互锁电路，由于互锁作用VT2、VT3将保持导通，因而VT4通使功率MOSFET导通。当V；由高电平变低时，脉冲变压器一次侧磁恢复，在二次侧感应出一个负向尖脉冲，使VT2截止，从而使VT3、VT4截止，VT5瞬时导通，关断功率MOSFET。在该电路中R6、VD3、VD4}构成自保护驱动。参考点A的电位由电阻R4、R5分压获得，在正常工作时功率MOSFET的漏极D点电位低于A点电位，因而二极管VD4截止，电源Vc2经电阻R6、二极管VD3到功率MOSFET流过电流。当短路或过载时，功率MOSFET的VDs上升，当VD=VA时，二极管VD4导通，R6和R8 上的分压使A点电位升高，由VT2、VT3构成的互锁电路翻转，使VT5瞬时导通，关断功率MOSFET，使之得到有效保护。
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图2-48具有过载和短路保护功能的窄脉冲驱动电路
图2-49窄脉冲MOS化驱动电路
窄脉冲MOS化驱动电路。可以利用互锁电路的保持功能实现用窄脉冲驱动功率MOSFET。互锁电路由两个小功率MOSFET管的栅源交叉连接组成，如图2-49所示。这样组成了一个无源双稳态电路，C{1、C2、C是储能元件，它们可以是外接电容器，也可利用VT1、VT2和功率MOSFET的寄生电容。在输人信号v；的上升沿，脉冲变压器的二次侧产生一个正向尖脉冲使C1充电，VT1开通，C_2通过VT放电使VT2关断，C由窄脉冲通过R8充电使功率MOSFET导通。反之，在输入信号:的下降沿，脉冲变压器的二次侧产生一个负向尖脉冲使C2充电VT2导通，C1和C通过VT2放电，最终VT 和功率MOSFET关断。增大C1、C2或改变Rg还可以对导通及关断时间进行调整。当电路开始接电时，VT1、VT2、功率MOSFET均处于关断状态，由于功率MOSFET的栅极都处于高阻抗状态，极易因干扰或噪声而使电容C1和C2充电，造成功率MOSFET误导通。为此设置了电阻Rd、C2,通过Rd对C2自动充电***功率MOSFET处于关断
状态。
