| 产品特性：稳压稳频 | 是否进口：否 | 产地：深圳 |
| 品牌：LADS雷迪司 | 型号：G6KL | 类型：DC/DC电源 |
| 输入电压：220 | 输出功率：4800 | 调制方式：脉冲调频调宽式 |
| 标称容量：6KVA | 产品认证：CE | 电源类型：不间断电源 |
| 额定容量：1000va | 工作频率：50/60Hz | 工作湿度：0-90%无冷凝 |
| 工作温度：0-40°C | 规格：高频UPS | 绝缘电阻：25 |
| 控制方式：屏幕控制 | 频率范围：50/60Hz | 适用范围：大中小型企业机房 |
| 输出电流：12000 | 输出电压：220 | 输出频率：12000 |
| 输入电压范围：220-380 | 输入频率：50/60Hz | 外型尺寸：见正文 |
| 外形尺寸： 见正文参数 | 晶体管连接方式：半桥式 | 加工定制：否 |
| 工作效率：98% | 负载调整率：98% | 电压调整率：98% |
| 负载类型：稳定型 | 负载稳压率：96% | 频率稳压度：95 |
| 输出电压精度：99 | 电源名称：不间断电源 | 最小包装数：1 |
| 物料编号：9h6fs56d6s3s2f65006s5f9 | 系列：LADS雷迪司 | 通讯方式：智能报警 |
| 扩展功能：任意扩容 | 保护方式：熔断连接 | 工作环境温度：0-40°C |
| 防护等级：一级 | 重量：6.5-78950 | 备注说明：大中小型企业机房 |
| 价格说明：以客服报价为准 | 一般货期：1-7天 | 运输方式：大件物流小件快递 |
| 包装方式：纸箱/托盘/木箱 |
如果出现两次及两次以上电阻值较小(几乎为00),则该场效应管损坏；如果仅出现一次电阳值较小(一般为数百欧)，其余各次测量电阻值均为无穷大，还需作进一步判断。以 N沟道管为例
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第2章常用电力电子器件
依次做下述测量，以判定管子是否良好。
1将万用表置于R×1k挡。先将被测VMOS管的栅极G与源极S用镊子短接一下，
然后将红表笔接漏极D，黑表笔接源极S，所测阻值应为数千，如图2-36所示。
D9 数千欧
黑
R×1k
RX10k
黑
图2-36 测VMOS管RsD
SO
图2-37 短接G与S，测VMOS管RDS
先用导线短接G与S，将万用表置于R×10k挡，红表笔接S，黑表笔接D，阻值应
接近无穷大，否则说明VMOS管内部PN结的反向特性较差，如图2-37所示。
紧接上述测量，将G与S间短路线去掉，表笔位置不动，将D与G短接一下再脱
开，相当于给栅极注入了电荷，此时阻值应大幅度减小并且稳定在某一阻值。
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此阻值越小说
明跨导值越高，管子的性能越好。如果万用表指针向右摆幅很小，说明VMOS管的跨导值
较小。具体测试操作如图2-38所示。
紧接上述操作，表笔不动，电阻值维持在某一数值，用镊子等导电物将G与S短接
一下，给栅极放电，万用表指针应立即向左转至无穷大。具体操作如图2-39所示。
短接后脱开
黑
黑
0
R×10k
K
RX10k
短接后脱开
红
图2-38 D与G短接，测 VMOS管R Ds
图2-39 G与S短接时的测试情况
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上述测量方法是针对N沟道VMOs场效应管而言，若测量P沟道管，则应将万用表两
表笔的位置调换。
2.3.5驱动电路
功率M0SFET栅极驱动电路的形式各种各样，按驱动电路与栅极的连接方式可分为三
类:直接驱动、隔离驱动和集成驱动。
(1)直接驱动电路
1 TTL驱动电路。图2-40(a)是最简单的TTL驱动电路，它应能输出开通驱动电流
IcG(on)和吸取关断电流IG(off。图中TTL电路可以是驱动器、缓冲器或其他逻辑电路。这种
开集电极的驱动器末级是单管输出，受其灌电流的限制外接电阻R都在数百欧。用这种驱
动器驱动功率MOSFET开通时，因R阻值较大，因此器件的开通时间较长。
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UPS电源技术及应用
()最简单的TTL驱动电路
FET
图2-40TTL驱动电路
互补输出驱动电路。图2-41(a
所示为由晶体管组成的互补输出电路，采用这种电路不但可提高开通时的速度，而且也可提高关断速度。在这种电路中输出晶体管VT是作为射极跟随器工作的，不会出现饱和，因不影响功率MOSFET的开关频率。
图2-41(b)所示为由MOS管组成的互补驱动电路，由于采用了-VE电源，在关断驶
动时，可加速栅极输入电容的放电，缩短关断时间。
3 CMOS驱动电路。直接用CMOS器件也可以驱动功率MOSFET，而且它们可以共用一组电源，栅极电压在小于10V时，MOSFET将处于电阻区不需要外接电阻，电路更简单。不过开关速度低并且驱动功率要受电流源和CMOS器件吸收电容量的限制。
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(2)隔离驱动电路
隔离式栅极驱动电路根据隔离元件的不同，可分为电磁隔离和光电隔离两种。
1脉冲变压器隔离驱动电路。脉冲变压器是典型的电磁隔离元件，如图2-42示出了几种脉冲变压器驱动的形式。如图2-42(a)所示是利用续流二极管VD限制了驱动晶体管VT 中出现的过电压，关断时间较长。如图2-42(b)所示的电路，在续流二极管VD支路中串接一只稳压管VZ，当VT关断时起钳位作用，从而缩短了关断时间。如图2-42(c所示电路是在栅极电阻上并联了加速二极管VDs，使充电电流经过它向输入电容充电，增大了充电电流，加快了MOSFET的开通速度。如图2-42(d)是用互补型式驱动功率MOsFET 的板极，由于关断时利用二次绕组 W2形成的反向电压，因此明显地降低了关断过程的时间延迟。
光耦合器驱动电路。利用光耦合器的隔离驱动电路如图2-43所示。图2-43(a)为板
推的光耦合电路，通过光耦合器将控制信号回路与驱动回路隔离，使得输出级设计电阻值小，从而解决了栅极驱动源低阻抗的问题，但由于光耦合器响应速度慢，因此使开关延迟时间加长，限制了使用频率，图2-43(b)为改进的光耦合电路，此电路使阳抗进一步降低· 因而使栅极驱动的关断延迟时间进一步缩短，延迟时间的数量级仍为微秒级。
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(b)能快速开通的改进电路
o5V
15vo
(a)晶体管组成的互补输出电路
图2-40(b)所示为能快速开通的改逐电路，它减小了TTL 上的功耗。当TT 输出管导通时，功率MOSFET的输入电容被短路至地，这时吸收电流的能力受导通管的8和它可能得到的基极电流的阳制。而TTL输出为高电平时，栅极通过附加的晶体管VT获得电压及电流，充电能力提高，因而开通速度加快。
