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| 产品特性：稳压稳频 | 是否进口：否 | 产地：深圳 |
| 品牌：金武士 | 型号：TDF-31020GS | 类型：模块电源 |
| 输入电压：220 | 输出功率：18000 | 调制方式：脉冲调频调宽式 |
| 标称容量：20KVA | 产品认证：CE | 电源类型：不间断电源 |
| 额定容量：1000va | 工作频率：50/60Hz | 工作湿度：0-90%无冷凝 |
| 工作温度：0-40°C | 规格：高频UPS | 绝缘电阻：25 |
| 控制方式：屏幕控制 | 频率范围：50/60Hz | 适用范围：个人电脑，小型用电设备 |
| 输出电流：12000 | 输出电压：220 | 输出频率：12000 |
| 输入电压范围：220-380 | 输入频率：50/60Hz | 外型尺寸：见正文 |
| 外形尺寸： 见正文参数 | 晶体管连接方式：半桥式 | 加工定制：否 |
| 工作效率：*** | 负载调整率：98% | 电压调整率：*** |
| 负载类型：稳定型 | 负载稳压率：96% | 频率稳压度：95 |
| 输出电压精度：100 | 电源名称：不间断电源 | 最小包装数：1 |
| 物料编号：9h6fs56d6s3s2f65006s5f9 | 系列：金武士塔式工频UPS | 通讯方式：智能报警 |
| 扩展功能：任意扩容 | 保护方式：熔断连接 | 工作环境温度：0-40°C |
| 防护等级：一级 | 重量：150 | 备注说明：本产品适用于中小型弱电机房 |
| 发货地点：济南 | 价格说明：以客服报价为准 |
在整个开关管关断期间，变压器磁芯会复位，而复位时是依靠电容C.和变压器的励磁电感完成开关管的零电流、零电压开关的。由于电容C，和变压器励磁电感在谐振时会在变压器的二次侧形成一个电压，而此电压正好可作为同步整流MOSFET 的驱动电压。这个同步整流的驱动电压会与变压器的输出电压严格同步。这样MOSFET的体内二极管流过的电流时间就会变得很短，也就降低了同步整流的损耗。
图9-16 有源钳位同步整流电路
金武士TDF-31020GS工频UPS不间断电源20KVA18KW三进单出机柜式
图3-17有源钳位同步整流波形
(4)电压外驱动同步整流电路
电压外驱动同步整流技术中MOSFET的驱动信号需从附加的外驱动电路获得。为了实现驱动同步，附加驱动电路必须由变换器主开关管的驱动信号控制，电路如图3-18所示。为了尽量缩短负载电流流过寄生二极管的时间，要使二次侧的两个MOSFET 能在一周期内均衡地轮流导通，即两个MOSFET驱动信号的占空比为50%的互补驱动波形。外驱动电路可提供***的时序，以达到上述要求。但为了避免两个MOSFET 同时导通而引起二次侧短路，应留有一定的死区时间。虽然外驱动同步整流电路比起传统的自驱动同步整流电路效率更高，但它却要求附加复杂的驱动电路，从而会带来驱动损耗。特别在开关频率较高时，驱动电路的复杂程度和成本都较高。因此外驱动同步整流技术并不适用于开关频率较高的变换器。
金武士TDF-31020GS工频UPS不间断电源20KVA18KW三进单出机柜式
| 型号 | 容量 | 功率 | 尺寸 | 重量 | 类型 | 电压 |
| TDF-11020GS | 20KVA | 18KW（千瓦） | 655*370*900 MM21U | 152 kg | 机柜式（1.8米以上） 、单机式、工频在线 | 192V |
| TDF-11015GS | 15KVA | 13.5KW（千瓦） | 655*370*900 MM 21U | 122 kg | 机柜式（1.8米以上） 、单机式、工频在线 | 192V |
| TDF-11010GS | 10KVA | 9KW | 560*260*717 MM 17U | 79.5 kg | 机柜式（1.8米以上） 、单机式、工频在线 | 192V |
| TDF-11006GS | 6KVA | 5.4KW（千瓦） | 560*260*717 MM 17U | 65 kg | 机柜式（1.8米以上） 、单机式、工频在线 | 192V |
| TDF-31030GS | 30KVA | 27KW（千瓦） | 830*455*1055 MM 24U | 210 kg | 机柜式（1.8米以上） 、单机式、工频在线 | 384V |
| TDF-31020GS | 20KVA | 18KW（千瓦） | 830*455*1055 MM 24U | 195 kg | 机柜式（1.8米以上） 、单机式、工频在线 | 192V |
| TDF-31015GS | 15KVA | 13.5KW（千瓦） | 655*370*900 MM 21U | 122 kg | 机柜式（1.8米以上） 、单机式、工频在线 | 192V |
| TDF-31010GS | 10KVA | 9KW（千瓦） | 655*370*900 MM（毫米）21U | 79.5 kg（ 公斤） | 机柜式（1.8米以上） 、单机式、工频在线 | 192V |
| TDF-33200GS | 200KVA | 180KW（千瓦） | 855*1245*1900 MM 43U | 1075 kg | 机柜式（1.8米以上） 、单机式、工频在线 | 384V |
| TDF-33160GS | 160KVA | 144KW（千瓦） | 800*850*1650 MM（毫米）38U | 1099 kg（ 公斤） | 机柜式（1.8米以上） 、单机式、工频在线 | 384V |
| TDF-33150GS | 150KVA | 135KW（千瓦） | 800*850*1650 MM 38U | 1099 kg | 机柜式（1.8米以上） 、单机式、工频在线 | 384V |
| TDF-33120GS | 120KVA | 108KW（千瓦） | 800*850*1650 MM 38U | 800 kg | 机柜式（1.8米以上） 、单机式、工频在线 | 384V |
| TDF-33100GS | 100KVA | 90KW（千瓦） | 800*850*1650 MM（毫米）38U | 800 kg（ 公斤） | 机柜式（1.8米以上） 、单机式、工频在线 | 384V |
| TDF-33080GS | 80KVA | 72KW（千瓦） | 800*700*1600 MM 36U | 521.5 kg | 机柜式（1.8米以上） 、单机式、工频在线 | 384V |
| TDF-33060GS | 60KVA | 54KW（千瓦） | 800*700*1600 MM（毫米）36U | 506.5 kg（ 公斤） | 机柜式（1.8米以上） 、单机式、工频在线 | 384V |
| TDF-33040GS | 40KVA | 36KW | 830*515*1135 MM 26U | 309 kg | 机柜式（1.8米以上） 、单机式、工频在线 | 384V |
| TDF-33030GS | 30KVA | 27KW（千瓦） | 830*455*1055 MM 24U | 243 kg | 机柜式（1.8米以上） 、单机式、工频在线 | 384V |
| TDF-33020GS | 20KVA | 18KW（千瓦） | 830*455*1055 MM 24U | 208 kg | 机柜式（1.8米以上） 、单机式、工频在线 | 192V |
| TDF-33015GS | 15KVA | 13.5KW（千瓦） | 830*455*1055 MM（毫米）24U | 208 kg（ 公斤） | 机柜式（1.8米以上） 、单机式、工频在线 | 192V |
| TDF-33010GS | 10KVA | 9KW（千瓦） | 830*455*1055 MM 24U | 218 kg | 机柜式（1.8米以上） 、单机式、工频在线 | 192V |
它在电路中也是作为一开关器件，但与开关二极管不同的是必须要在其栅***有一定电压才能允许电流通过。但这种复杂的控制却得到了极小的电流损耗。
在实际应用中，如果选择的MOSFET的通态电阻为10m,则在通过20~30A电流时只有0.2~0.3V的压降损耗。在采用MOSFET做同步整流时，MOSFET的压降和恒定压降的背特基管不同，电流越小压降越低。这个特性对于改善轻载时的效率尤为有效。
同步整流技术是为了减少输出二极管的导通损耗，提高变换器效率。不管采用哪种同步整流技术，都是通过使用低通态电阻的MOSFET替代输出侧的二极管，以限度地降低出装耗，以提高开关变换器的整体效率。
MOSFET的主要损耗为:
1MOSFET开关损耗，开关损耗的来源主要为寄生电容充放电所造成的损耗P:
2MOSFET 的导通损耗Pr
Pt=IR Ds
式中，1。为输出负载电流；RDs为通态电阻，R Ds=R cH 十RD。其中R cH为MOSFET 的导通沟道和表面电荷积累层形成的电阻，RD是由MOSFET 的JFET 区和高阻外延层形成的电阻。
金武士TDF-31020GS工频UPS不间断电源20KVA18KW三进单出机柜式
寄生电容造成的开关损耗与频率相关，在低频率时较小。MOSFET的损耗主要由导通损耗决定。因此，可利用MOSFET的自动均流特性将多个MOSFET并联，以降低MOSFET 的通态电阻。同步整流技术按其驱动信号类型的不同，可分为电压型驱动和电流型驱动。而电压型驱动的同步整流电路按驱动方式又可分为自驱动和外驱动两种。
(1)自驱动同步整流电路
自驱动电压型同步整流技术是由变换器中的变压器二次电压直接驱动相应的绝缘栅场效应晶体管MOSFET，如图3-13所示。这是一种传统的同步整流技术，其优点是不需要附加的驱动电路，结构简单。缺点是两个MOSFET不能在整个周期内代替一极管，使得负载电流会流过寄生二极管，造成了较大的损耗，限制了效率的提高。
图3-13所示为自驱动同步整流电路，当变压器一次侧流过正向电流时，变压器二次侧
出现上正下负的电压。用此电压作为VT2的驱动电压，使VT2导通，而VT1的栅极因受到变压器反偏电压的作用而截止。此时，变压器二次侧通过电感L和VT2为负载供能量。当变压器的一次侧流过反向电流时，变压器的二次侧出现上负下正的电压。同样，此电压为VT1提供了驱动电压，使VT1导通，而VT2的栅极因受到变压器反偏电压的作用而截止。此时，变压器二次侧通过电感L和VT1为负载提供能量。在使用自驱动同步整流时，变压器二次绕组的电压须大于一定值以能够可靠驱动绝缘栅场效应晶体管MOSFET。对于过高的输出电压，则必须在MOSFET的驱动端加上驱动保护电路，以防栅极电压过高损坏MOSFET。在反激、正激、推挽、桥式变换器中均可采用自驱动同步整流电路。如图3-14所示为自驱动同步整流电路在反激、正激、推挽变换器中的应用。
金武士TDF-31020GS工频UPS不间断电源20KVA18KW三进单出机柜式
(2)辅助绕组驱动同步整流电路
辅助绕组驱动同步整流电路是对自驱动同步整流电路的改进。为了防止在输人电压很高时引起变压器二次绕组电压过高，使得同步整流的MOSFET栅极上的电压过高损坏MOS- FET的现象发生，在变压器二次绕组中增加了驱动绕组。这样就可有效调节驱动同步整流的MOSFET的栅压，使其在MOSFET栅压的合理区域，从而达到保护MOSFET的目的，提高了电源的可靠性。同时，也将本来只能使用在低输出电压场合的同步整流电路应用到高输出电压场合。其工作原理如图3-15所示。
(c)推挽辅助绕组驱动同步整流电路(c)推挽变换器自驱动同步整流电路
图3-14自驱动同步整流电路的应用图3-15 辅助绕组驱动同步整流电路的应用从图3-15(a)可以看出，为了驱动输出同步整流MOSFET，在变压器的二次绕组上加绕了一个辅助绕组。此绕组上产生的电压就是同步整流MOSFET的驱动电压。
(3)有源钳位同步整流电路
针对自驱动、辅助绕组驱动同步整流器的不足，在开关变换器一次侧采用有源钳位同步
UPS电源技术及应用
整流技术便应运而生，电路如图3-16所示。电容C，以及辅助开关VT3组成了者钳位电路。有源钳位开关变换器的两个整流MOSFET轮流导通，减少了同步整流时负载电流流过寄生二极管所造成的损耗。
